[发明专利]半导体光放大器和光延时线的全光超宽带脉冲产生方法无效

专利信息
申请号: 201210476866.0 申请日: 2012-11-22
公开(公告)号: CN103023531A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 何晶;黄媛;陈林 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: H04B1/717 分类号: H04B1/717;H04B10/524;H04B10/2575
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 半导体 放大器 延时 全光超 宽带 脉冲 产生 方法
【权利要求书】:

1.半导体光放大器和光延时线产生全光超宽带脉冲方法,其特征在于所述的方法包括以下步骤:

使用一个连续波激光器作为光源;

采用一个马赫曾德尔强度调制器调制产生光高斯脉冲信号;

光高斯脉冲信号通过光功率分路器分成等功率的两路信号;

一路信号连接到光衰减器和半导体光放大器,产生超宽带monocycle脉冲;另一路信号连接到光延时线上产生延时的光高斯脉冲;

通过光功率合路器将上述两路信号叠加产生全光超宽带doublet脉冲信号。

2.根据权利1所述的光高斯脉冲信号的产生方法,其特征在于,所述的马赫曾德尔强度调制器调制双边带信号,调制电压设置为开关电压的一半。

3.根据权利1所述的超宽带monocycle脉冲的产生方法,其特征在于,采用光衰减器、半导体光放大器。

4.根据权利1所述的超宽带monocycle脉冲的产生方法,其特征在于,采用权利3所述的光衰减器调节半导体光放大器的输入功率,利用半导体光放大器的自身增益饱和恢复特性产生超宽带monocycle脉冲。

5.根据权利1所述的延时的光高斯脉冲的产生方法,其特征在于,采用光延时线。

6.根据权利5所述的光延时线,其特征在于,所述的延时差为1/4个光高斯脉冲信号周期。

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