[发明专利]半导体光放大器和光延时线的全光超宽带脉冲产生方法无效
| 申请号: | 201210476866.0 | 申请日: | 2012-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN103023531A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
| 发明(设计)人: | 何晶;黄媛;陈林 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
| 主分类号: | H04B1/717 | 分类号: | H04B1/717;H04B10/524;H04B10/2575 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 410082 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 放大器 延时 全光超 宽带 脉冲 产生 方法 | ||
1.半导体光放大器和光延时线产生全光超宽带脉冲方法,其特征在于所述的方法包括以下步骤:
使用一个连续波激光器作为光源;
采用一个马赫曾德尔强度调制器调制产生光高斯脉冲信号;
光高斯脉冲信号通过光功率分路器分成等功率的两路信号;
一路信号连接到光衰减器和半导体光放大器,产生超宽带monocycle脉冲;另一路信号连接到光延时线上产生延时的光高斯脉冲;
通过光功率合路器将上述两路信号叠加产生全光超宽带doublet脉冲信号。
2.根据权利1所述的光高斯脉冲信号的产生方法,其特征在于,所述的马赫曾德尔强度调制器调制双边带信号,调制电压设置为开关电压的一半。
3.根据权利1所述的超宽带monocycle脉冲的产生方法,其特征在于,采用光衰减器、半导体光放大器。
4.根据权利1所述的超宽带monocycle脉冲的产生方法,其特征在于,采用权利3所述的光衰减器调节半导体光放大器的输入功率,利用半导体光放大器的自身增益饱和恢复特性产生超宽带monocycle脉冲。
5.根据权利1所述的延时的光高斯脉冲的产生方法,其特征在于,采用光延时线。
6.根据权利5所述的光延时线,其特征在于,所述的延时差为1/4个光高斯脉冲信号周期。
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