[发明专利]形成图案的方法

权利要求书

1.一种形成图案的方法，包括：

提供具有第一区域、第二区域与第三区域的基底；

于所述第一区域、所述第二区域与所述第三区域的所述基底上分别形成第一图案、第二图案与第三图案，所述第一图案具有第一线宽L1与第一间距S1，所述第二图案具有第二线宽L2与第二间距S2，所述第三图案具有第三线宽L3与第三间距S3，其中S1/L1=3，S2/L2为大于或等于3的整数且S3/L3=1；

于所述第一图案、所述第二图案与所述第三图案的侧壁上分别形成第一间隙壁、第二间隙壁与第三间隙壁；

于所述第一区域的所述基底上形成第一罩幕层，所述第一罩幕层覆盖所述第一图案与所述第一间隙壁；

于暴露出的所述基底上形成第二罩幕层；以及

移除所述第一罩幕层、所述第一图案、所述第二图案与所述第三图案。

2.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述第一线宽L1与所述第二线宽L2小于或等于50nm，而所述第三线宽L3大于50nm。

3.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述第一间隙壁、所述第二间隙壁与所述第三间隙壁的形成方法包括：

于所述基底上共形地形成间隙壁材料层；以及

进行非等向性蚀刻工艺。

4.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述第二罩幕层的形成方法包括：

于所述基底上形成罩幕材料层；以及

进行非等向性蚀刻工艺，移除位于所述第一罩幕层、所述第二图案、所述第二间隙壁、所述第三图案与所述第三间隙壁上方的所述罩幕材料层。

5.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述基底为介电基底。

6.如权利要求5所述的形成图案的方法，其中在移除所述第一罩幕层、所述第一图案、所述第二图案与所述第三图案之后，还包括：

于所述基底上形成导体材料层；以及

进行平坦化工艺，直到暴露出所述第一间隙壁、所述第二间隙壁、所述第三间隙壁与所述第二罩幕层。

7.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述基底为导体基底。

8.如权利要求7所述的形成图案的方法，其中在移除所述第一罩幕层、所述第一图案、所述第二图案与所述第三图案之后，还包括以所述第一间隙壁、所述第二间隙壁、所述第三间隙壁与所述第二罩幕层为罩幕，移除部分所述基底。

9.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述基底为硅基底。

10.如权利要求9所述的形成图案的方法，其中在移除所述第一罩幕层、所述第一图案、所述第二图案与所述第三图案之后，还包括：

以所述第一间隙壁、所述第二间隙壁、所述第三间隙壁与所述第二罩幕层为罩幕，移除部分所述基底，以形成多个沟渠；

于所述基底上形成绝缘材料层，并填满所述沟渠；

进行平坦化工艺，直到暴露出所述第一间隙壁、所述第二间隙壁、所述第三间隙壁与所述第二罩幕层；以及

移除所述第一间隙壁、所述第二间隙壁、所述第三间隙壁与所述第二罩幕层。