[发明专利]MOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种MOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括位于半导体衬底上的伪栅以及位于伪栅侧壁上的侧墙；

在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成应力层；

在所述伪栅结构两侧的应力层和半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的上表面与伪栅结构的上表面齐平；

对所述伪栅和半导体衬底进行刻蚀，形成凹槽，所述凹槽的底面低于所述半导体衬底的上表面；

在所述凹槽内依次形成栅介质层和位于所述栅介质层上的栅极，所述栅极的上表面与所述层间介质层的上表面齐平，所述栅介质层的上表面低于半导体衬底的上表面或与半导体衬底的上表面持平，所述栅介质层位于应力层之间的半导体衬底内。

2.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽的底面距所述半导体衬底的上表面的距离为10埃～50埃。

3.如权利要求1或2所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的上表面低于所述半导体衬底的上表面，或者所述栅介质层的上表面与所述半导体衬底的上表面持平，所述栅介质层的厚度为5埃～50埃。

4.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，形成凹槽的方法为干法刻蚀。

5.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述MOS器件为NMOS器件，所述应力层的材料为碳化硅。

6.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述MOS器件为PMOS器件，所述应力层的材料为锗硅。

7.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成应力层的方法包括：

在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成开口；

通过外延生长工艺在所述开口内填充满应力层。

8.如权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成伪栅结构之前，还包括：在所述半导体衬底上形成氧化层。

9.一种MOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、位于所述栅介质层上的栅极和位于所述栅极两侧半导体衬底上的侧壁，所述栅介质层位于半导体衬底内且其上表面低于所述半导体衬底的上表面，或者所述栅介质层的上表面与所述半导体衬底的上表面持平，所述栅介质层位于应力层之间的半导体衬底内，所述栅极的上表面高于所述半导体衬底的上表面；

应力层，位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内。

10.如权利要求9所述的MOS器件，其特征在于，所述MOS器件为NMOS器件，所述应力层的材料为碳化硅。

11.如权利要求9所述的MOS器件，其特征在于，所述MOS器件为PMOS器件，所述应力层的材料为锗硅。

12.如权利要求9所述的MOS器件，其特征在于，所述栅介质层和位于半导体衬底内的栅极的厚度和为10埃～50埃。