[发明专利]连体IGBT器件及其加工方法

权利要求书

1.一种连体IGBT器件，其特征在于，所述器件包括至少两个IGBT器件，两个IGBT器件的漂移区互相连通，各IGBT器件独立引出电极。

2.根据权利要求1所述的连体IGBT器件，其特征在于，所述连体IGBT器件由四个IGBT器件组成田字形，每个IGBT器件分别与相连的IGBT器件连通漂移区。

3.根据权利要求2所述的连体IGBT器件，其特征在于，左上角的IGBT器件和右下角的IGBT器件并联形成第一组块，右上角的IGBT器件和左下角的IGBT器件并联形成第二组块。

4.根据权利要求1所述的连体IGBT器件，其特征在于，所述连体IGBT器件由两个IGBT器件组成，一IGBT器件占较大的芯片面积，作为承担较大的电流的主开关器件，相连的另一IGBT器件占较小的芯片面积，作为起到加速主器件开关切换作用的辅助器件。

5.一种连体IGBT器件的加工方法，其特征在于，包括下述步骤：

5.1在第一导电类型的衬底晶圆片上，通过杂质掺杂和扩散得到第二导电类型的沟道区；制备栅极，通过杂质注入及掺杂激活工艺得到第一导电类型的源区；淀积保护介质层，开接触孔，金属化布线，上表面钝化；

5.2在步骤5.1之前、之中或之后，在上表面开上槽，淀积钝化层保护裸露部分；

5.3将晶圆片背面减薄；

5.4背面离子注入掺杂、退火、金属化；

5.5在步骤5.4之前、之中或之后，在背面对应上槽的位置处开背槽；

5.6划片，连体IGBT器件的各组成器件独立引出电极；封装。

6.根据权利要求5所述的连体IGBT器件的加工方法，其特征在于，步骤5.2中开上槽使用的是湿法腐蚀、干法刻蚀、干湿法复合刻蚀或激光烧蚀的方法。

7.根据权利要求5所述的连体IGBT器件的加工方法，其特征在于，步骤5.5中开背槽的步骤为：

5.5.1对应上槽的位置处在背面采用双面对准光刻技术进行曝光；

5.5.2使用湿法腐蚀、干法刻蚀、干湿法复合刻蚀或激光烧蚀的方法开背槽。