[发明专利]光伏装置及其制造方法

说明书

本申请要求于2011年11月23日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0123119号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明的一个或多个实施例涉及一种光伏装置以及一种制造该光伏装置的方法。

背景技术

为了制造太阳能电池，通过将n型（或p型）掺杂剂掺杂到p型（或n型）基底中形成p-n结，因此形成发射极。使通过接收光形成的电子-空穴对分开，然后通过n型区域的电极收集电子并通过p型区域的电极收集空穴，从而产生电能。

由于在形成p-n结的工艺过程中也用杂质掺杂基底的边缘部分，所以太阳能电池的前表面电极和后表面电极电连接，从而降低了太阳能电池的效率。因此，需要执行用于使前表面和后表面电断开的边缘隔离。

发明内容

本发明的一个或多个实施例包括一种光伏装置以及一种制造该光伏装置的方法，在制造该光伏装置的方法中，可以使用激光同步（例如，同时）执行高浓度掺杂工艺和边缘隔离工艺。

附加方面在下面的描述中被部分地阐述，部分地通过描述将是明显的，或者可以通过本实施例的实践获得。

根据本发明的一个或多个实施例，一种制造光伏装置的方法包括：使用第一杂质在半导体基底上形成第一导电类型半导体层；使用激光对第一导电类型半导体层的区域执行掺杂，使得第一导电类型半导体层的所述区域与第一导电类型半导体层的剩余区域相比具有更高浓度的第一杂质；执行边缘隔离，以在半导体基底的后表面的边缘部分形成凹槽部分；在半导体基底的前表面上形成抗反射层；在半导体基底的前表面上形成第一金属电极；以及在半导体基底的后表面上形成第二金属电极和第二导电类型半导体层，第二导电类型半导体层包含与第一杂质不同的第二杂质。

该方法还可以包括通过使用副产物层作为掩模来蚀刻在凹槽部分上的损坏层，副产物层在第一导电类型半导体层的形成过程中形成。

蚀刻可以包括使用碱溶液湿蚀刻损坏层。

该方法还可以包括在蚀刻之后除去副产物层。

第一导电类型半导体层的所述区域可以对应于第一金属电极。

该方法还可以包括在形成抗反射层之前清洗半导体基底的前表面。

清洗可以包括：第一操作，使用包含硝酸和氢氟酸的混合溶液除去杂质；以及第二操作，在第一操作之后使用稀释的HF除去剩余的氧化物层。

形成第二金属电极和第二导电类型半导体层可以包括：在半导体基底的后表面上涂覆金属膏体；以及使用烧制方法来同时形成第二金属电极和第二导电类型半导体层。

根据本发明的另一实施例，一种光伏装置可以使用上述方法制造。

根据本发明的一个或多个实施例，一种光伏装置包括：半导体基底：第一导电类型半导体层，在半导体基底的前表面和半导体基底的侧表面上，第一导电类型半导体层用第一杂质掺杂；第二导电类型半导体层，在半导体基底的后表面上，第二导电类型半导体层用与第一杂质不同的第二杂质掺杂；以及凹槽部分，在半导体基底的边缘部分，凹槽部分被构造为使第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层电隔离，其中，第一导电类型半导体层的一部分用浓度比第一导电类型半导体层的剩余部分的浓度高的第一杂质掺杂。

半导体基底的部分、第一导电类型半导体层的部分和第二导电类型半导体层的部分通过凹槽部分暴露到外部。

该光伏装置还可以包括在第一导电类型半导体层的一部分上的第一金属电极。

该光伏装置还可以包括在第一导电类型半导体层上的抗反射层。

该光伏装置还可以包括在第二导电类型半导体层上的第二金属电极，第二金属电极包含与第二杂质的化学元素相同的化学元素。

半导体基底可以是第二导电类型。

半导体基底可以包括纹理化表面。

附图说明

通过下面结合附图对示例实施例进行描述，本发明实施例的这些和/或其他方面将变得明显和更容易理解，附图中：

图1是根据本发明实施例的光伏装置的示意性剖视图；

图2是根据本发明实施例的光伏装置的制造方法的流程图；以及

图3至图11是根据本发明实施例的用于描述在图2的流程图中描绘的操作的阶段的侧视图。

具体实施方式