[发明专利]光伏装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造光伏装置的方法，所述方法包括：

使用第一杂质在半导体基底上形成第一导电类型半导体层；

使用激光对第一导电类型半导体层的区域执行掺杂，使得第一导电类型半导体层的所述区域与第一导电类型半导体层的剩余区域相比具有更高浓度的第一杂质；

执行边缘隔离，以在半导体基底的后表面的边缘部分形成凹槽部分；

在半导体基底的前表面上形成抗反射层；

在半导体基底的前表面上形成第一金属电极；以及

在半导体基底的后表面上形成第二金属电极和第二导电类型半导体层，第二导电类型半导体层包含与第一杂质不同的第二杂质。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括通过使用副产物层作为掩模来蚀刻在凹槽部分上的损坏层，副产物层在第一导电类型半导体层的形成过程中形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，蚀刻包括使用碱溶液湿蚀刻损坏层。

4.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括在蚀刻之后除去副产物层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，第一导电类型半导体层的所述区域对应于第一金属电极。

6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在形成抗反射层之前清洗半导体基底的前表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，清洗包括：

第一操作，使用包含硝酸和氢氟酸的混合溶液除去杂质；以及

第二操作，在第一操作之后使用稀释的氢氟酸除去剩余的氧化物层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第二金属电极和第二导电类型半导体层包括：

在半导体基底的后表面上涂覆金属膏体；以及

使用烧制方法来同时形成第二金属电极和第二导电类型半导体层。

9.一种使用根据权利要求1所述的方法制造的光伏装置。

10.一种光伏装置，所述光伏装置包括：

半导体基底：

第一导电类型半导体层，位于半导体基底的前表面和半导体基底的侧表面上，第一导电类型半导体层用第一杂质掺杂；

第二导电类型半导体层，位于半导体基底的后表面上，第二导电类型半导体层用与第一杂质不同的第二杂质掺杂；以及

凹槽部分，位于半导体基底的边缘部分，凹槽部分被构造为使第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层电隔离，

其中，第一导电类型半导体层的一部分用浓度比第一导电类型半导体层的剩余部分的浓度高的第一杂质掺杂。

11.根据权利要求10所述的光伏装置，其中，半导体基底的部分、第一导电类型半导体层的部分和第二导电类型半导体层的部分通过凹槽部分暴露到外部。

12.根据权利要求10所述的光伏装置，所述光伏装置还包括位于第一导电类型半导体层的所述一部分上的第一金属电极。

13.根据权利要求10所述的光伏装置，所述光伏装置还包括位于第一导电类型半导体层上的抗反射层。

14.根据权利要求10所述的光伏装置，所述光伏装置还包括位于第二导电类型半导体层上的第二金属电极，第二金属电极包含与第二杂质的化学元素相同的化学元素。

15.根据权利要求10所述的光伏装置，其中，半导体基底是第二导电类型。

16.根据权利要求10所述的光伏装置，其中，半导体基底包括纹理化表面。