[发明专利]接触孔的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及接触孔的制作方法。

背景技术

当半导体制造进入40纳米以下技术时，由于接触孔的孔径变小及孔与孔间距的减少，光刻/刻蚀工艺在接触孔这个环节面临着极大的挑战，如何保证曝光质量同时又不会在刻蚀后不会造成接触孔短路，是一个重要课题。

请结合图1~图8所示的现有的接触孔的制作方法。首先，请参考图1，提供半导体衬底10，所述半导体衬底10上依次形成有第一介质层11、第二介质层12、第三介质层13（APF，Advanced Pattern Film），介质抗反射层14（DARC）、第一底部抗反射层15（BARC）、第一光刻胶层16，所述第一光刻胶层16内形成有第一开口，所述第一开口露出下方的第一底部抗反射层15。

然后，请参考图2，沿所述第一开口进行刻蚀工艺，在所述第一底部抗反射层15内形成第二开口，在所述介质抗反射层14内形成第三开口，所述第三开口的深度小于所述介质抗反射层14的厚度。所述第二开口与第三开口相连通。

接着，请参考图3，去除第一光刻胶层16和第一底部抗反射层15。

接着，请参考图4，在所述介质抗反射层14上形成第二底部抗反射层17和第二光刻胶层18。所述第二底部抗反射层17将第三开口填满。所述第二光刻胶层18内形成有第四开口。所述第四开口露出下方的第二底部抗反射层17。

结合者，请参考图5，沿所述第四开口进行刻蚀工艺，在所述第二底部抗反射层17内形成第五开口，在所述介质抗反射层14内形成第六开口，所述第六开口的深度小于所述介质抗反射层14的厚度。所述第五开口与第六开口相连通。

接着，请参考图6，去除所述第二底部抗反射层17和第二光刻胶层18。

然后，请参考图7，沿所述第三开口和第六开口对所述第三介质层13、第二介质层12和第一介质层11进行刻蚀，形成第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔位于所述第三开口下方，所述第二接触孔位于所述第六开口下方。

最后，请参考图8，去除所述介质抗反射层14。

在实际中发现，在执行图4所示的步骤时，在形成第二底部抗反射层17、第二光刻胶层18以及第四开口的过程中，当需要返工时，需要利用刻蚀工艺去除第二光刻胶层18以及第二底部抗反射层17时，会损伤第三开口，使得第三开口的尺寸变大，从而造成最终在第三开口下方形成的第一接触孔的孔径偏大。因此，需要对现有的接触孔的制作方法进行改进，以提高工艺的稳定性。

发明内容

本发明解决的问题是提供了一种接触孔的制作方法，防止接触孔的孔径由于返工变大，提高了工艺的稳定性。

为解决上述问题，本发明提供一种接触孔的制作方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层和第二介质层；

在所述第二介质层内形成第一开口，所述第一开口露出第一介质层；

在所述第二介质层上形成第三介质层，所述第三介质层填充所述第一开口；

在所述第三介质层上依次形成第一介质抗反射层、第一底部抗反射层和第一光刻胶层，所述第一光刻胶层内具有第二开口；

沿所述第二开口进行刻蚀工艺，在所述第一底部抗反射层、第一介质抗反射层、第三介质层、第二介质层内形成第四开口，所述第四开口露出第一介质层；

去除所述第一底部抗反射层、第一介质抗反射层、第三介质层；

沿所述第一开口和第四开口对所述第一介质层进行刻蚀工艺，在所述第一开口下方形成第一接触孔，在所述第四开口下方形成第二接触孔，所述第一接触孔和第二接触孔露出半导体衬底。

可选地，所述第一开口的制作方法包括：

在所述第二介质层上形成第四介质层、第二介质抗反射层、第二底部抗反射层和第二光刻胶层，所述第二光刻胶层内具有第五开口；

沿所述第五开口刻蚀所述第二底部抗反射层、第二介质抗反射层、第四介质层和第二介质层，形成第一开口；

去除所述第二光刻胶层、第二底部抗反射层、第二介质抗反射层、第四介质层。

可选地，所述第二底部抗反射层的材质为可交联的高分子聚合物，厚度范围为200-400埃。

可选地，所述第二介质抗反射层的材质为氮氧化硅，厚度范围为200-400埃。

可选地，所述第四介质层的材质为无定型碳，厚度范围为1500-2500埃。

可选地，所述第一底部抗反射层的材质为可交联的高分子聚合物，厚度范围为300－500埃。