[发明专利]接触孔的制作方法有效
| 申请号： | 201210451318.2 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931134A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张瑜;黄海;李全波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 制作方法 | ||
1.一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层和第二介质层；
在所述第二介质层内形成第一开口，所述第一开口露出第一介质层；
在所述第二介质层上形成第三介质层，所述第三介质层填充所述第一开口；
在所述第三介质层上依次形成第一介质抗反射层、第一底部抗反射层和第一光刻胶层，所述第一光刻胶层内具有第二开口；
沿所述第二开口进行刻蚀工艺，在所述第一底部抗反射层、第一介质抗反射层、第三介质层、第二介质层内形成第四开口，所述第四开口露出第一介质层；
去除所述第一底部抗反射层、第一介质抗反射层、第三介质层；
沿所述第一开口和第四开口对所述第一介质层进行刻蚀工艺，在所述第一开口下方形成第一接触孔，在所述第四开口下方形成第二接触孔，所述第一接触孔和第二接触孔露出半导体衬底。
2.如权利要求1所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述第一开口的制作方法包括：
在所述第二介质层上形成第四介质层、第二介质抗反射层、第二底部抗反射层和第二光刻胶层，所述第二光刻胶层内具有第五开口；
沿所述第五开口刻蚀所述第二底部抗反射层、第二介质抗反射层、第四介质层和第二介质层，形成第一开口；
去除所述第二光刻胶层、第二底部抗反射层、第二介质抗反射层、第四介质层。
3.如权利要求2所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述第二底部抗反射层的材质为可交联的高分子聚合物，厚度范围为200-400埃。
4.如权利要求2所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述第二介质抗反射层的材质为氮氧化硅，厚度范围为200-400埃。
5.如权利要求2所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述第四介质层的材质为无定型碳，厚度范围为1500-2500埃。
6.如权利要求1所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述第一底部抗反射层的材质为可交联的高分子聚合物，厚度范围为300－500埃。
7.如权利要求1所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述第一介质抗反射层的材质为氮氧化硅，厚度范围为300-500埃。
8.如权利要求1所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述第三介质层的材质为无定型碳，厚度范围为1500-2500埃。
9.如权利要求1所述的接触孔的制作方法，其特征在于，所述第一介质层的材质为氮化硅，所述第二介质层的材质为氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
