[发明专利]光刻胶形貌表征方法有效

专利信息
申请号: 201210448991.0 申请日: 2012-11-12
公开(公告)号: CN102955378A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 姚树歆;戴峻;储佳 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光刻 形貌 表征 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻胶形貌表征方法,其特征在于,测定光刻胶曝光区域侧壁斜率变化的拐点,并根据所述拐点将光刻胶侧壁划分为若干区间,通过测量每一区间顶部线宽、底部线宽及区间深度,计算得到该区间侧壁倾角,拟合各所述区间的侧壁倾角、区间深度得到所述光刻胶侧壁形貌。

2.根据权利要求1所述的光刻胶形貌表征方法,其特征在于,包括以下步骤:

A、采用线宽扫描电子显微镜测量光刻胶曝光区域线宽;

B、根据线宽扫描电子显微镜的测量波形,测定光刻胶曝光区域侧壁斜率变化的n个拐点,并根据所述拐点,将所述光刻胶侧壁划分为n+1个区间,其中,n≥0且n为整数;

C、测量第i区间的底部线宽CDi及顶部线宽CDi′,并根据所述线宽扫描电子显微镜的测量波形,读取第i区间的区间深度Di,计算得到第i区间的侧壁倾角                                                ,其中, 1≤i≤n+1且i为整数;

D、拟合所述n+1个区间的侧壁倾角及区间深度,所述光刻胶侧壁形貌为:,其中: X为沿所述光刻胶曝光区域线宽方向坐标,Y为沿所述区间深度方向坐标。

3.根据权利要求2所述的光刻胶形貌表征方法,其特征在于,所述步骤C进一步包括:

C1、根据光刻胶曝光区域特征尺寸W在距离光刻胶边缘W/2处标记平行于光刻胶边缘的基准线;

C2、测量第i区间的底部光刻胶两侧壁边缘至基准线处线宽CDWi1、CDWi2及顶部光刻胶两侧壁边缘至基准线处线宽CDWi1′、CDWi2′,并根据所述线宽扫描电子显微镜的测量波形,读取第i区间的区间深度Di,计算得到第i区间的光刻胶第一侧壁倾角,第二侧壁倾角,其中, 1≤i≤n+1且i为整数;

此时,步骤D中:

所述光刻胶第一侧壁形貌为:

所述光刻胶第二侧壁形貌为:

其中:X1、X2均为沿所述光刻胶曝光区域线宽方向坐标,Y1、Y2均为沿所述区间深度方向坐标。

4.根据权利要求2或3所述的光刻胶形貌表征方法,其特征在于,所述线宽扫描电子显微镜采用阈值测量法或线性测量法进行线宽测量。

5.根据权利要求2或3所述的光刻胶形貌表征方法,其特征在于,所述光刻胶曝光区域线宽测量范围大于所述光刻胶曝光区域特征尺寸W。

6.根据权利要求5所述的光刻胶形貌表征方法,其特征在于,所述光刻胶曝光区域线宽测量范围为10nm~100μm。

7.根据权利要求2或3所述的光刻胶形貌表征方法,其特征在于,采用光学线宽测量仪或线宽扫描电子显微镜测量所述光刻胶侧壁各区间底部线宽及顶部线宽。

8.根据权利要求2或3所述的光刻胶形貌表征方法,其特征在于,所述光刻胶侧壁为底部线宽小于顶部线宽的倒梯形或底部线宽大于顶部线宽的正梯形。

9.根据权利要求1或2或3所述的光刻胶形貌表征方法,其特征在于,所述光刻胶为正性光刻胶。

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