[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层；

对第二半导体层、第一半导体层进行构图，以形成鳍；

在衬底上形成隔离层，所述隔离层露出所述第一半导体层的一部分；

向鳍下方的衬底进行离子注入，以形成穿通阻挡部；

在隔离层上形成横跨鳍的栅堆叠；

以栅堆叠为掩模，选择性刻蚀第二半导体层，以露出第一半导体层；

选择性刻蚀第一半导体层，以在第二半导体层下方形成空隙；

在衬底上形成第三半导体层，用以形成源/漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在选择性刻蚀第一半导体层之后，该方法还包括：

在所述空隙中填充电介质材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成隔离层包括：

在衬底上淀积电介质材料，使得电介质材料实质上覆盖鳍，其中位于鳍顶部的电介质材料厚度充分小于位于衬底上的电介质材料厚度；以及

对电介质材料进行回蚀。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，位于鳍顶部的电介质材料厚度小于位于衬底上的电介质材料厚度的三分之一。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，通过高密度等离子体(HDP)淀积形成电介质材料。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，在衬底上形成多个鳍，且位于每一鳍顶部的电介质材料厚度小于与其相邻的鳍之间间距的二分之一。

7.根据权利要求1所述的方法，在构图鳍之前，该方法还包括：

在第二半导体层上形成保护层。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，

在构图鳍之前，该方法还包括：在第二半导体层上形成保护层，

其中，所述隔离层和所述保护层包括相同的电介质材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成穿通阻挡部包括：

对于p型器件，进行n型注入；而对于n型器件，进行p型注入。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成第三半导体层时，对第三半导体层进行原位掺杂。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，对于p型器件，第三半导体层带压应力；而对于n型器件，第三半导体层带拉应力。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，衬底包括Si，第一半导体层包括SiGe，第二半导体层包括Si，第三半导体层包括SiGe或Si:C。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅堆叠是牺牲栅堆叠，所述方法还包括：进行替代栅工艺，去除牺牲栅堆叠，形成栅堆叠。

14.一种半导体器件，包括：

在衬底上形成的鳍；

在鳍下方的衬底中形成的穿通阻挡部；

在衬底上形成的隔离层；以及

在隔离层上形成的横跨鳍的栅堆叠，

其中，所述鳍包括位于栅堆叠下方的第一半导体层部分以及与第一半导体层相邻的第二半导体层部分，

该半导体器件还包括形成于第二半导体层部分中的源/漏区。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，还包括：在第一半导体层部分和衬底之间形成的隔离岛。

16.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，隔离层的顶面低于第一半导体层部分的底面。

17.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，衬底包括Si，第一半导体层部分包括Si，第二半导体层部分包括SiGe或Si:C。

18.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，第二半导体层部分通过隔离层中的开口形成于衬底的表面上。