[发明专利]太阳能电池及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种太阳能电池及其制作方法。

背景技术

太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。

衡量太阳能电池电性能好坏的一个最重要的标准就是其光电转换效率，太阳能电池的光电转换效率越高，说明其把光能转换成电能的能力越强。

最常见的晶体硅太阳能电池的基本结构，如图1所示，为现有技术中一种常见太阳能电池的基本结构，从上至下依次为：正面电极001、减反射层002、发射极003、基底004、背电场005、背面场006、背面电极007。

其中，正面电极001存在于太阳能电池的受光面，为栅线结构，一般包含主栅线和副栅线，主要用于收集太阳能电池各处所产生的电流；

减反射层002为覆盖在基底004表面的一层薄膜，主要起到减反射和钝化的作用；

发射极003的形成过程实质上是基底004经扩散后与掺杂杂质形成PN结的过程，它是太阳能电池把光能转换成电能的关键；

基底004一般为单晶或多晶的硅片，可以为N型，也可以为P型；

背电场005是覆盖在基底004背面的导电浆料经过烧结后，与硅结合所形成的合金层；

背面场006为覆盖在基底004背表面上的导电浆料，用于收集太阳能电池各处所产生的电流；

背面电极007位于基底004的背面，为栅线结构，用于汇集电流和连接焊条。

但是在实际应用过程中发现，常规的太阳能电池的光电转换效率低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种太阳能电池及其制作方法，以提高太阳能电池的光电转换效率。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明提供了一种太阳能电池的制作方法，包括：

提供基底，所述基底包括本体层、覆盖在所述本体层正表面上的扩散层；

对所述扩散层进行局部重掺杂，形成第一副栅线；

在基底正表面上形成减反射层，该减反射层覆盖所述第一副栅线；

在位于所述第一副栅线上方的减反射层区域形成间断的第二副栅线，所述第二副栅线的形成材料为具有穿透性的导电浆料，以与基底形成欧姆接触；

在第二副栅线上方形成连续的主栅线和第三副栅线，所述主栅线、第三副栅线及第二副栅线彼此电性相连，所述主栅线和第三副栅线的形成材料为不具有穿透性的导电浆料；

对基底进行烧结，使所述第二副栅线与基底电性相连。

优选的，所述形成第一副栅线的过程具体为，利用激光对覆盖在所述扩散层上的玻璃层进行局部加热，使玻璃层中的杂质扩散进入所述扩散层，形成栅线状的重扩散区域，作为第一副栅线；所述玻璃层是基底进行扩散之后自然形成的。

优选的，形成第一副栅线之后，形成减反射层之前，还包括，去除覆盖在所述扩散层上的玻璃层。

优选的，所述第一副栅线的表面掺杂浓度为10²⁰cm^-3～10²³cm^-3，掺杂深度为0.1~1μm。

优选的，所述扩散层上，除第一副栅线外的其它区域的表面掺杂浓度为10¹⁸cm^-3～10²¹cm^-3，掺杂深度为0.1~0.5μm。

优选的，所述第三副栅线的间距为1.7mm～2.2mm。

优选的，所述第三副栅线与所述第一副栅线所成的角度为0～90度，包括端点。

优选的，所述第三副栅线完全覆盖所述第二副栅线。

本发明还提供了一种太阳能电池，采用上述的方法制作，包括：

基底，所述基底包括本体层和覆盖在所述本体层正表面上的扩散层，其中，所述扩散层是由所述本体层掺杂扩散得到的；

位于所述扩散层内的第一副栅线，所述第一副栅线是由所述扩散层局部重掺杂形成的；

位于所述基底正表面上的减反射层；

位于所述第一副栅线上方的减反射层区域的间断的第二副栅线，所述第二副栅线的形成材料为具有穿透性的导电浆料，且与所述基底电性相连；

位于所述基底正表面上连续主栅线和第三副栅线，所述主栅线和第三副栅线的形成材料为不具有穿透性的导电浆料，且所述主栅线、第三副栅线及第二副栅线彼此电性相连。