[发明专利]晶圆边缘的处理装置和系统

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体地说，涉及一种晶圆边缘的处理装置。

背景技术

半导体集成电路制造技术发展到65nm技术代时，浸没式光刻成为关键技术，国际半导体技术蓝图(International Technology Roadmap for Semiconductors,简称ITRS)预测浸没式光刻将延伸到22nm节点。在浸没式光刻中，浸没环境引起的缺陷例如污染问题成为亟待解决的问题之一。利用传统的清洗设备可以较为便利的清洗晶圆正面和背面的污染，但是，晶圆边缘尤其是倒角区的污染常常被忽略或者去除难度较大。

在集成电路制造的各种成膜工艺中比如光刻的涂胶工艺中，晶圆的边缘状况不佳，或有特殊要求，通常也需要去除边缘的膜层。然而，不同成膜工艺通常使用不同的边缘膜层去除设备。例如，当成膜工艺为湿法工艺如涂胶工艺、铜电镀工艺等，去除边缘膜层的设备通常都集成在成膜设备本身当中；再例如，当成膜工艺为干法成膜工艺包括高温下的气相反应工艺(Chemical Vapor Deposition，CVD)、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)，则又要使用独立于成膜设备的去除边缘膜层设备。

另外，随着电路制造技术发展，在硅外延技术中，外延之前，晶圆的背面通常设置有背封层，以防止衬底硅的自掺杂效应。与此同时，晶圆边缘处同样存在背封层，而在边缘处的背封层在外延的还原气氛中会析出多晶硅，因此，需要去除掉硅晶圆边缘处的背封层，但是由于传统工艺中并不关注硅片边缘的污染，因此，现有技术中缺少有效去除硅片边缘污染的设备。

综上，现有技术中，由于传统工艺对晶圆边缘污染的忽略，或者不同成膜工艺需要配置不同的去除边缘膜层设备，使得针对晶圆边缘的处理成本较高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆边缘的处理装置和系统，用以解决现有技术中传统工艺对晶圆边缘污染的忽略，或者不同成膜工艺需要配置不同的去除边缘膜层设备，使得针对晶圆边缘的处理成本较高等问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种晶圆边缘的处理装置，该晶圆边缘的处理装置包括：

晶圆放置区，用于放置晶圆；

溶液容纳单元，用于盛放溶液，设置在所述晶圆放置区下方；

边缘处理单元，用于通过自身运动携带所述溶液容纳单元中溶液以清洗或腐蚀所述晶圆的边缘，设置在所述晶圆放置区和所述溶液容纳单元之间且使所述边缘处理单元自身运动时可携带上所述溶液容纳单元中溶液的位置上；

控制单元，用于控制所述边缘处理单元对所述晶圆进行清洗或腐蚀；

其中，所述边缘处理单元包括转轴，所述转轴外围套设有衬垫，在工作状态时，所述转轴旋转，转轴上的衬垫经过溶液容纳单元时携带溶液，到达顶部时则与晶圆摩擦，以带动所述晶圆转动，同时使所述晶圆压迫所述衬垫，以释放出所述衬垫上携带的所述溶液对所述晶圆的边缘进行腐蚀或清洗。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种晶圆边缘的处理系统，包括上述的晶圆边缘的处理装置，各所述晶圆边缘的处理装置之间根据对晶圆的工艺处理流程相互之间连接。

优选地，各所述晶圆边缘的处理装置中溶液容纳单元容纳不同的溶液，以对所述晶圆进行清洗和腐蚀。

与现有的方案相比，在对晶圆进行处理如清洗或腐蚀时，将晶圆放置在晶圆放置区，启动边缘处理单元通过自身运动携带溶液容纳单元中的溶液，并对晶圆的边缘进行清洗或者腐蚀，使得使用同一设备即可以实现对晶圆边缘的清洗或腐蚀，最终降低了晶圆处理的成本。

附图说明

图1为本发明晶圆边缘的处理装置实施例一的剖视图；

图2为本发明晶圆边缘的处理装置实施例一的俯视图；

图3为本发明晶圆边缘的处理装置实施例一的工作示意图；

图4为本发明晶圆边缘的处理装置实施例二的剖视图；

图5为本发明晶圆边缘的处理装置实施例二的工作示意图；

图6为本发明晶圆边缘的处理系统的结构示意图。

具体实施方式

以下将配合图式及实施例来详细说明本发明的实施方式，藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。