[发明专利]晶圆边缘的处理装置和系统有效
申请号: | 201210431145.8 | 申请日: | 2012-11-01 |
公开(公告)号: | CN102969226B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 袁超 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘 处理 装置 系统 | ||
1.一种晶圆边缘的处理装置,其特征在于,包括:
晶圆放置区,用于放置晶圆;
溶液容纳单元,用于盛放溶液,设置在所述晶圆放置区下方;
边缘处理单元,用于通过自身运动携带所述溶液容纳单元中溶液以清洗或腐蚀所述晶圆的边缘,设置在所述晶圆放置区和所述溶液容纳单元之间且使所述边缘处理单元自身运动时可携带上所述溶液容纳单元中溶液的位置上;
控制单元,用于控制所述边缘处理单元对所述晶圆进行清洗或腐蚀;
其中,所述边缘处理单元包括转轴,所述转轴外围套设有衬垫,在工作状态时,所述转轴旋转,转轴上的衬垫经过溶液容纳单元时携带溶液,到达顶部时则与晶圆摩擦,以带动所述晶圆转动,同时使所述晶圆压迫所述衬垫,以释放出所述衬垫上携带的所述溶液对所述晶圆的边缘进行腐蚀或清洗。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述晶圆放置区包括:对称设在所述容纳单元上方两侧的卡槽,用于固定承载晶圆的载片盒。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述溶液容纳单元包括:溶液储存池,用于盛放所述溶液,位于所述溶液容纳单元的底部。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述边缘处理单元包括与所述转轴连接并带动所述转轴同步旋转的电机。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述转轴的转速可调,且所述转速在10转/分~100转/分钟之间。
6.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述转轴外围套设有耐酸碱腐蚀的衬垫。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述衬垫由表层为多孔性绒毛结构的材料制成,以吸收所述溶液。
8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述衬垫为抛光垫。
9.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述溶液容纳单元的顶部设有开口,以在所述转轴旋转的过程中使所述衬垫通过所述开口携带上所述溶液容纳单元中盛放的溶液。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述开口的一侧壁上设置有与所述转轴之间距离可调的挡板,以在工作状态时,使所述挡板刮除所述衬垫上携带的多余溶液。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述挡板与所述衬垫的接触面为斜面或圆弧柱面,以在工作状态时,使挡板前端与所述衬垫紧密接触或紧密贴合,以刮除所述衬垫表面携带的多余溶液。
12.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述转轴的部分本体浸在所述溶液容纳单元中溶液中,且所述转轴轴心高于所述溶液容纳单元中溶液的液面。
13.根据权利要求4或6所述的装置,其特征在于,还包括:排风单元,设置在所述溶液容纳单元的侧壁上,用于抽走所述转轴衬垫携带的溶液所挥发出的腐蚀性气体或挥发性的反应副产物。
14.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述转轴的全部本体浸在所述溶液容纳单元的溶液中。
15.根据权利要求1或4所述的装置,其特征在于,还包括:超声或兆声发生装置,设置在所述溶液容纳单元的底部,使得所述溶液容纳单元中的溶液产生高频振动,以去除晶圆边缘的细小颗粒。
16.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述溶液为清洗液,所述清洗液为:氢氧化铵、过氧化氢与去离子水的混合溶液;或者盐酸、过氧化氢与去离子水的混合溶液;或者硫酸、双氧水的混合溶液;或者稀释的氢氟酸溶液,或者去离子水。
17.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述溶液为腐蚀液,所述腐蚀液为:氢氟酸溶液;或者硫酸、双氧水的混合溶液;或者氟化氢与氟化铵的混合溶液。
18.一种晶圆边缘的处理系统,其特征在于,包括多个权利要求1-17任意所述的晶圆边缘的处理装置,各所述晶圆边缘的处理装置之间根据对晶圆的工艺处理流程相互之间连接。
19.根据权利要求18所述的系统,其特征在于,各所述晶圆边缘的处理装置中溶液容纳单元容纳不同的溶液,以对所述晶圆进行清洗和腐蚀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造