[发明专利]设置有金属柱的电路板的制造方法和由此制造的电路板无效

专利信息
申请号: 201210428010.6 申请日: 2012-10-31
公开(公告)号: CN103096630A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 权纯喆;李相旼 申请(专利权)人: 三星泰科威株式会社
主分类号: H05K3/06 分类号: H05K3/06;H05K1/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩芳
地址: 韩国庆尚*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 设置 金属 电路板 制造 方法 由此
【说明书】:

本申请要求于2011年10月31日提交到韩国知识产权局的第2011-0111872号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用被完全包含于此。

技术领域

本发明涉及一种制造电路板的方法,更具体地讲,涉及一种形成有金属柱的电路板。

背景技术

随着电子产业的快速发展,近来已经在涉及电子器件和电路板的领域中开发了各种技术。具体地讲,根据电子产品变得轻、薄、简单和小型化的近期趋势,对在基底上形成有精细间距的电路图案以及增加数量的输入/输出(I/O)端子同时具有两种或多于两种不同功能的封装件的需求增加。

结果,具有不同功能的封装件之间的电连接从引线键合型变为利用焊球的倒装芯片型,以获得精细的间距和可靠的电连接。对于涉及到具有各种功能的封装的技术,有例如封装内系统(SIP)、系统级封装(SOP)、封装件层叠(POP)以及多芯片封装(MCP)技术。

POP技术是组装完每个封装件之后将两个半导体封装件集成为单个封装件以提供完整的封装结构的技术。根据POP技术,将具有不同功能的不同封装件集成为组合的封装件是有益的。由于在对每个封装件完成电学测试之后执行集成,所以在减小封装件集成之后产生的电误差方面也是有益的。

存在如图1和图2中所示的现有技术的基底制造方法,其中,焊球1设置在基底的焊盘2上。另外,存在如图3中所示的另一种现有技术的基底制造方法,其中,将被制造的基底设置有用于倒装芯片的金属柱。

图1和图2是示出制造具有用于倒装芯片的焊盘上焊料结构的基底的现有技术的方法的视图。

在下文中,将参照图1和图2来描述一种现有技术的方法,在该方法中,制造了具有焊球1的基底。图1示出了利用金属掩模3的制造方法。根据该方法,设置有焊盘2的基底经历表面处理(图1中的(a)),然后将金属掩模3与基底对齐(图1中的(b))。此后,通过金属掩模3将焊料印刷在焊盘2上(图1中的(c))。在去除金属掩模3(图1中的(d))之后,执行回流工艺(图1中的(e)),以形成焊球1。接下来,可以执行压印工艺(coining process),以使焊球1具有均匀的高度(图1中的(f))。

然而,当如上所述利用金属掩模制造具有焊盘上焊料结构的基底时,存在如下问题。

图4是示出在图1的现有技术的制造方法中异常形成的焊球的视图,该方法用来制造具有用于倒装芯片的焊盘上焊料结构的基底。

如图4中所示,在去除金属掩模3时,部分焊料可能转移到金属掩模3,从而焊球1可能具有不均匀的形状(图4中的(a))。另外,由于焊料通过镀覆填充焊球1,所以通过回流工艺完成的焊球1可能具有非均匀的高度(图4中的(b))。为此,问题可能在于,可能必须执行诸如压印的附加工艺来使焊球1具有均匀的高度。

在下文中,将描述另一种焊盘上焊料基底的制造方法。图2示出了现有技术的微球型制造方法。根据微球型制造方法,多种焊剂印刷在基底的与焊盘2对应的部分上(图2中的(a))。此后,焊球1通过挤压工艺安装在焊盘2上(参照图2中的(b))。

然而,微球型制造方法的问题在于,焊球1可能没有安装在设置在基底上的每个焊盘2上。为了解决这个问题,执行检查每个焊盘2是否安装有焊球1的附加工艺以及在没有安装焊球的焊盘2上安装焊球1的重复工艺可能是必须的,如图2中的(c)所示。问题还在于,由于附加工艺延长了整体工艺时间。

为了解决与焊盘上焊料基底有关的问题,已经提出了一种制造设置有用于倒装芯片的金属柱的基底的方法。在第10-2009-0094119号韩国专利申请中公开了该方法。

图3是示出了设置有用于倒装芯片的金属柱的基底的又一现有技术的制造方法的视图,其中,通过镀覆方法来形成金属柱。

根据该方法,首先准备具有导电焊盘2的非导电基底(图3中的(a)),然后在导电焊盘2上形成镀覆种子层5(图3中的(b))。此后,如图3中的(c)中所示,在所得结构上方层叠作为光致抗蚀剂膜的干膜光致抗蚀剂(DFR)层4。然后,将所得结构经历曝光和显影工艺(图3中的(d)),以暴露导电焊盘2。接下来,对暴露的导电焊盘2执行镀覆工艺来形成金属柱700(图3中的(e))。此后,在去除DFR层4之前,在金属柱700上方涂覆焊料500,然后使所得结构经历回流工艺(图3中的(f))。另外,参照DFR层4的高度执行平坦化工艺(图3中的(g))。最后,去除DFR层4和种子层5(图3中的(h)和图3中的(i))。

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