[发明专利]基板处理设备和化学物再循环方法有效
申请号: | 201210425776.9 | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN103094158A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 刘栽领;黄东淳;姜丙喆 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 化学 再循环 方法 | ||
技术领域
本文所公开的本发明涉及处理基板的基板处理设备,并且更特别地,涉及对在基板清洁中使用的化学物进行再循环的基板处理设备以及化学物再循环方法。
背景技术
在基板上执行各种过程例如光刻、蚀刻、灰化、离子注入以及薄膜沉积,以制造半导体器件或液晶显示器。为了除去在每个过程中产生的污染物和颗粒,在执行该每个过程之前或之后执行清洁基板的清洁过程。
大体上,通过向基板提供化学物来清洁基板以执行清洁过程。化学物除去附着在基板上的异物并随后通过将其向外排出来丢弃,或所使用的化学物通过利用其沸点之间的差异来分离,并随后进行再循环。通常,通过在大气压力下加热来分离所使用的化学物。因此,由于化学物必须在高温下加热以使该化学物达到其沸点,所以用于对化学物进行再循环所消耗的能量相对很大,并且因此降低了效率。
发明内容
本发明提供一种对在基板清洁中使用的化学物进行再循环的基板处理设备以及化学物再循环方法。
本发明还提供一种减少对化学物进行再循环所需时间的基板处理设备以及化学物再循环方法。
本发明还提供一种降低对化学物进行再循环所需成本的基板处理设备以及化学物再循环方法。
本发明实施例提供基板处理设备,包括:清洁基板上的异物的清洁室;以及通过回收混合溶液来进行再循环的再循环单元,该混合溶液包括在基板清洁中使用的第一化学物和第二化学物,其中,再循环单元包括:分离单元,其分离从清洁室回收的混合溶液;回收管线,其连接分离单元和清洁室,并使该混合溶液流入分离单元中;减压管线,其一端连接到分离单元并且排放从分离单元蒸发的混合溶液;以及减压单元,其安装在减压管线中并且减小分离单元中的压力。
在本发明的其它实施例中,对化学物进行再循环的方法包括:通过回收管线而将混合溶液引入到分离单元中,该混合溶液包括在基板清洁中使用的第一化学物和第二化学物;通过使用减压泵来在减压状态下加热分离单元中的混合溶液,而排放从分离单元蒸发的气体和化学物;并且当在分离单元中剩余的第一化学物的纯度达到预定水平时回收第一化学物。
在本发明其它实施例中,基板处理设备包括:清洁室,其使用硫酸和过氧化氢的混合溶液来清洁基板上的异物;回收管线,其从清洁室回收在基板清洁中使用的混合溶液;分离单元,其通过加热经回收的混合溶液来分离硫酸;减压管线,其排出从分离单元蒸发的混合溶液;以及减压单元,其降低分离单元的压力以减小混合溶液的沸点。
附图说明
结合附图来提供对本发明的进一步理解,附图被纳入本说明书中并构成其一部分。附图示出了本发明的示例性实施例,并连同说明书一起用以解释本发明的原理。在附图中:
图1是根据本发明实施例的基板处理设备的示意图;
图2是根据本发明另一实施例的基板处理设备的示意图;
图3示出再循环单元的构造;
图4示出根据本发明实施例的分离单元的构造;
图5示出根据本发明另一实施例的分离单元的构造;
图6示出冷凝器的构造;并且
图7示出根据本发明另一实施例的预加热单元的构造。
具体实施方式
在下文中将参照附图(图1至图7)来更加详细地描述本发明实施例。然而,本发明可以以不同形式体现,并且不应被解释为受限于本文所阐述的实施例。相反,提供这些实施例以使得本公开是彻底和完整的,并且将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。因此,附图中元件的形状被放大以为了示出清楚。
图1是根据本发明实施例的基板处理设备的示意图。
参考图1,基板处理设备1包括清洁室2、再循环单元3以及化学物供应单元6。
化学物供应单元6通过供应管线7连接到清洁室2。化学物供应单元6通过供应管线7向清洁室2提供混合溶液。混合溶液包括第一化学物和第二化学物。第一化学物可以是硫酸、氨、或硝酸之一。第二化学物可以是过氧化氢。在下文中,将以混合溶液包括作为第一化学物的硫酸和作为第二化学物的过氧化氢的情况作为示例来进行描述。
清洁室2通过使用从化学物供应单元6供应的混合溶液来清洁基板。对在基板清洁中使用的混合溶液进行再循环以供应到再循环单元3。在被供应到清洁室2的过程中以及在用于基板清洁之后被回收过程中在混合溶液中包含的过氧化氢的一部分变为水。因此,硫酸、过氧化氢、或水可以被包含在供应到再循环单元3的混合溶液中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造