[发明专利]基板处理设备和化学物再循环方法有效
申请号: | 201210425776.9 | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN103094158A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 刘栽领;黄东淳;姜丙喆 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 化学 再循环 方法 | ||
1.一种基板处理设备,包括:
清洁基板上的异物的清洁室;以及
通过回收混合溶液来进行再循环的再循环单元,所述混合溶液包括在所述基板清洁中使用的第一化学物和第二化学物,
其中,所述再循环单元包括:
分离单元,其分离从所述清洁室回收的所述混合溶液;
回收管线,其连接所述分离单元和所述清洁室,并使所述混合溶液流入所述分离单元中;
减压管线,其一端连接到所述分离单元并且排放从所述分离单元蒸发的所述混合溶液;以及
减压单元,其安装在所述减压管线中并且减小所述分离单元中的压力。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括冷凝器,其被安装在所述减压管线中并且被布置在所述分离单元与所述减压单元之间。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中,排出在所述冷凝器中冷凝的所述蒸发的混合溶液的第二排出管线被连接到所述冷凝器。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理设备,其中,所述再循环单元还包括在所述回收管线中安装的预加热单元以加热所述混合溶液,
其中,所述预加热单元包括:
储存所述混合溶液的壳体;以及
对在所述壳体中存储的所述混合溶液进行加热的加热器。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备,其中,在所述预加热单元与所述分离单元之间分支的、并使从所述预加热单元排出的所述混合溶液再次流入到所述预加热单元中的循环管线被安装在所述回收管线中。
6.根据权利要求4所述的基板处理设备,其中,在所述回收管线中在所述预加热单元与所述分离单元之间安装管线加热器。
7.根据权利要求4所述的基板处理设备,其中,所述回收管线平行分支成第一分支管线和第二分支管线,并且所述预加热单元提供在第一分支管线中安装的第一预加热单元、以及在第二分支管线中布置的第二预加热单元。
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理设备,其中,所述再循环单元还包括第一排出管线,所述第一排出管线的一端连接到所述分离单元以排出从所述分离单元分离的所述第一化学物。
9.根据权利要求8所述的基板处理设备,其中,所述第一排出管线连接到所述清洁室或向所述清洁室供应所述第一化学物的化学物供应单元。
10.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理设备,其中,在所述分离单元中安装过滤构件。
11.根据权利要求10所述的基板处理设备,其中,所述分离单元的内部由所述过滤构件划分成上部空间和下部空间,所述回收管线直接连接到所述下部空间,并且所述减压管线直接连接到所述上部空间。
12.根据权利要求10所述的基板处理设备,其中,所述分离单元的内部由所述过滤构件划分成上部空间和下部空间,所述回收管线直接连接到所述下部空间,并且所述减压管线通过设置给所述过滤构件的孔而直接连接到所述上部空间,
其中,所述回收管线和所述减压管线连接到所述分离单元以被布置在所述过滤构件的下侧,并且在所述分离单元中安装与所述过滤构件的上侧和所述减压管线相连的内部管线。
13.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理设备,其中,所述第一化学物是硫酸,并且所述第二化学物包括过氧化氢或水。
14.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理设备,其中,所述第一化学物是硫酸、氨、或硝酸之一。
15.一种对化学物进行再循环的方法,所述方法包括:
通过回收管线而将混合溶液引入到分离单元中,所述混合溶液包括在基板清洁中使用的第一化学物和第二化学物;
通过使用减压泵来在减压状态下加热所述分离单元中的所述混合溶液,而排出从分所述离单元蒸发的气体和化学物;并且
当在所述分离单元中剩余的所述第一化学物的纯度达到预定水平时回收所述第一化学物。
16.根据权利要求15所述的方法,还包括当从所述分离单元蒸发的所述化学物流至所述减压单元时冷凝所述蒸发的化学物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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