[发明专利]半导体衬底的形成方法

权利要求书

1.一种半导体衬底的形成方法，其特征在于，包括：

提供硅衬底，所述硅衬底包括第一区域和第二区域；

对所述硅衬底进行离子注入，在硅衬底表面形成离子注入层；

在所述离子注入层表面形成掩膜层，所述硅衬底的第一区域上方的掩膜层中形成有开口；

以所述掩膜层为掩模，沿开口刻蚀所述离子注入层和硅衬底，形成凹槽；

去除所述掩膜层；

沿所述凹槽的底部和侧壁刻蚀硅衬底的第一区域，形成空腔；

在所述空腔内填充满氧化层。

2.如权利要求1所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，在所述凹槽和空腔内填充满氧化层之后，还包括，形成覆盖硅衬底的第一区域上方离子注入层表面的功能层。

3.如权利要求2所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，所述功能层的材料为硅、锗或者锗硅。

4.如权利要求2或3所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，形成覆盖硅衬底的第一区域上方离子注入层表面的功能层的方法为化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、原子层沉积工艺或者分子束外延工艺。

5.如权利要求1所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，沿所述凹槽的底部和侧壁刻蚀硅衬底的第一区域的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为四甲基氢氧化氨溶液。

6.如权利要求1所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，形成凹槽的方法为干法刻蚀，所述干法刻蚀的刻蚀气体为HBr、Cl₂、O₂中的一种或者几种。

7.如权利要求1所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅。

8.如权利要求7所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，在所述空腔内填充满氧化层的方法为化学气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，对所述硅衬底进行离子注入的离子为磷离子、硼离子、二氟化硼离子、砷离子、锗离子、氩离子、碳离子、氧离子、氮离子、氟离子、硅离子、硫离子、氯离子中的一种或者几种。

10.如权利要求9所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，对所述硅衬底进行离子注入的离子为氧离子，离子注入的能量为1KeV~5000KeV，离子注入的剂量为10¹⁰/cm²~10²³/cm²。

11.如权利要求1所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，在硅衬底表面形成离子注入层之后，还包括：进行退火工艺。

12.如权利要求1所述的半导体衬底的形成方法，其特征在于，所述开口的个数大于或者等于两个。