[发明专利]不通电的伪栅极

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

伸长的第一栅极，在第一方向上延伸，所述第一栅极是不通电的伪栅极；

伸长的第二栅极，在所述第一方向上延伸，所述第二栅极在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一栅极间隔开；以及

伸长的第三栅极，在所述第一方向上延伸并且在所述第一方向上与所述第一栅极对准且与所述第一栅极间隔开，

其中，所述第二栅极和所述第三栅极各自形成在衬底的相应有源区域上方；并且所述第一栅极形成在所述衬底的非有源区域上方，

其中，所述第二栅极和所述第三栅极中的每个均形成有允许所述第二栅极和所述第三栅极电连接到其他器件的电接触件，并且所述第二栅极和所述第三栅极之间没有电接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极是不通电的伪栅极并且在其上不形成电接触件。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二栅极和所述第三栅极为非伪栅极。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直并且一起限定从上向下观察的所述半导体器件。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从上向下观察时，源极/漏极区域设置在所述第一栅极和所述第二栅极之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从上向下观察时，介电隔离区域设置在第一栅极和第三栅极之间。

7.一种半导体器件，包括：

不通电的伪栅极，形成在衬底上方，其中，所述伪栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向；

第一功能栅极，形成在所述衬底上方，其中，所述第一功能栅极具有伸长的形状并且沿着所述第一方向定向，并且所述第一功能栅极在与第一方向垂直的第二方向上与所述伪栅极分离；

允许所述第一功能栅极电连接到其他器件的第一导电接触件，形成在所述第一功能栅极上；

第二功能栅极，形成在所述衬底上方，其中，所述第二功能栅极具有伸长的形状并沿着所述第一方向定向，并且所述第二功能栅极在所述第一方向上与所述伪栅极对准并与所述伪栅极物理分离；以及

允许所述第二功能栅极电连接到其他器件的第二导电接触件，形成在所述第二功能栅极上，

其中，所述衬底包含掺杂部分和介电隔离部分；所述第一功能栅极和所述第二功能栅极形成在所述掺杂部分的一部分的上方；并且所述伪栅极形成在所述介电隔离部分的一部分的上方；其中，所述第一功能栅极和所述第二功能栅极之间没有电接触。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，在所述伪栅极上不形成导电接触件。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，相对于从上向下观察的所述半导体器件限定所述第一方向和所述第二方向。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述掺杂部分包含多个源极/漏极区域，并且，从上向下观察时，所述源极/漏极区域之一位于所述第一功能栅极和所述伪栅极之间。

11.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成不通电的伪栅极，其中，所述伪栅极具有伸长的形状并且在第一方向上延伸；

在所述衬底上方形成第一功能栅极，其中，所述第一功能栅极具有伸长的形状并在所述第一方向上延伸，并且所述第一功能栅极在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述伪栅极间隔开，以及相对于从上向下观察的所述衬底限定所述第一方向和所述第二方向；

在所述第一功能栅极上形成允许所述第一功能栅极电连接到其他器件的第一电接触件；

在所述衬底上方形成第二功能栅极，其中，所述第二功能栅极具有伸长的形状并在所述第一方向上延伸，并且所述第二功能栅极在所述第一方向上与所述伪栅极对准并与所述伪栅极间隔开；以及

在所述第二功能栅极上形成允许所述第二功能栅极电连接到其他器件的第二电接触件，

其中，在所述衬底的介电隔离区域上方形成所述伪栅极；并且在所述衬底的有源区域上方形成所述第一功能栅极和所述第二功能栅极；其中，所述第一功能栅极和所述第二功能栅极之间没有电接触。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述伪栅极、所述第一功能栅极和所述第二功能栅极均通过相同的制造工艺同时形成。