[发明专利]一种有机场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种有机场效应晶体管的制作方法，包括如下步骤：

（1）清洗表面设有栅电极的基底；

（2）在所述栅电极上沉积聚合物绝缘层；所述聚合物绝缘层为聚苯乙烯绝缘层或聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层；

（3）在所述聚合物绝缘层上悬涂光刻胶，然后置于光刻掩膜板下进行曝光和显影，得到图案化的源漏电极；然后再置于紫外光下进行再次曝光；再继续蒸镀金膜，然后再显影液处理后得到源漏电极；

（4）在得到的源漏电极上蒸镀有机半导体层即得到有机场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（2）中所述聚合物绝缘层的厚度为800nm～1μm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤（3）中所悬涂得到的光刻胶的厚度为1μm～5μm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于：步骤（3）中采用真空蒸镀的方式蒸镀所述金膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述真空蒸镀的真空度为6×10^-4Pa～4×10^-4Pa，蒸镀速度为

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于：步骤（3）中所述显影液为四甲基氢氧化铵。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于：所述有机半导体层由并五苯制成。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于：所述有机半导体层的厚度为40nm～60nm。