[发明专利]MEMS巨磁阻式高度压力传感器

权利要求书

1.一种MEMS巨磁阻式高度压力传感器，其特征在于，包括：

键合基板（1）；

铁磁性薄膜承载体（10），设置在键合基板（1）上方，上部分为弹性薄膜（4），下部分为垫衬框体（2），垫衬框体（2）四周与键合基板（1）相连接；

铁磁性薄膜（3），设置在铁磁性薄膜承载体（10）的弹性薄膜（4）下表面的中心位置；

巨磁敏电阻（7），设置在键合基板（1）上表面中心位置，与铁磁性薄膜（3）的位置正对；

保护罩（5），固定在铁磁性薄膜承载体（10）的上方，保护罩（5）上表面的中间设置连通保护罩（5）的内腔（23）和外界的通孔形的接触孔（6）。

2.根据权利要求1所述的MEMS巨磁阻式高度压力传感器，其特性在于，所述铁磁性薄膜承载体（10）的X方向的长度小于键合基板（1）的X方向的长度，键合基板相（1）对于铁磁性薄膜承载体（10）有一个延伸区域。

3.根据权利要求1所述的MEMS巨磁阻式高度压力传感器，其特性在于，所述的弹性薄膜（4）中心区域的厚度大于四周的厚度。

4.根据权利要求3所述的MEMS巨磁阻式高度压力传感器，其特征在于，所述的垫衬框体（2）为中空框体结构，垫衬框体（2）下面与键合基板（1）相连，上面覆盖弹性薄膜（4），三者形成一个“凹”字形的真空腔（24）。

5.根据权利要求1所述的MEMS巨磁阻式高度压力传感器，其特征在于，所述的铁磁性薄膜（3）为多层结构。

6.根据权利要求5所述的MEMS巨磁阻式高度压力传感器，其特征在于，所述多层结构是自上到下依次为：二氧化硅层（11）、二氧化钛层（12）、铂层（13）、铁酸钴层（14）、铁酸铋层（15）。

7.根据权利要求1所述的MEMS巨磁阻式高度压力传感器，其特征在于，所述巨磁敏电阻（7）通过巨磁敏电阻引出线（8）与巨磁敏电阻电极（9）相连。

8.根据权利要求7所述的MEMS巨磁阻式高度压力传感器，其特征在于，所述巨磁敏电阻电极（9）设置在键合基板（1）的延伸区域的上表面。

9.根据权利要求1所述的MEMS巨磁阻式高度压力传感器，其特征在于，所述巨磁敏电阻（7）为多层结构，自上到下依次为上钽层（16）、铁锰层（17）、钴层（18）、铜层（19）、镍铁层（20）、下钽层（21）以及绝缘层（22）。