[发明专利]金属互连结构的制作方法

权利要求书

1.一种金属互连结构的制作方法，所述金属互连结构包括位于同层的第一接触孔与第二接触孔，以及位于上层并连接该两接触孔的沟槽，其特征在于，所述制作方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成介质层和位于所述介质层上的第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上形成第一硬掩膜层，所述第一硬掩膜层包括间隔分布的多个线条状图形；

在所述第一硬掩膜层上形成第二缓冲层；

在所述第二缓冲层上形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层包括间隔分布的多个线条状图形，所述第二硬掩膜层的图形和所述第一硬掩膜层的图形互相交叉，并共同限定了所述金属互连结构的第一、二接触孔的位置与尺寸；

在第二硬掩膜层上形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形暴露所述第一接触孔所在的位置；

以所述第一光刻胶图形及第一、二硬掩膜层为掩模，刻蚀所述第二缓冲层和第一缓冲层至露出所述介质层，在第一缓冲层和第二缓冲层中形成第一通孔；

去除第一光刻胶图形；

在所述第一通孔内填充有机涂层，而后在第二缓冲层上形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形暴露所述第二接触孔所在的位置；

以所述第二光刻胶图形及第一、二硬掩膜层为掩模，刻蚀所述第二缓冲层和第一缓冲层至露出所述介质层，在第一缓冲层和第二缓冲层中形成第二通孔；

去除第二光刻胶图形；

利用具有第一、二通孔的第二缓冲层和第一缓冲层为掩模，刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成所述第一接触孔与第二接触孔；

在所述第一、二接触孔内填充有机涂层，而后形成第三光刻胶图形，所述第三光刻胶图形包括暴露第一、二接触孔的中间区域的图形；

以所述第三光刻胶图形为掩模，对所述介质层进行刻蚀，形成连接所述第一、二接触孔的沟槽。

2.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的材料与所述第二缓冲层的材料相同。

3.如权利要求2所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述介质层的材料包括氧化硅；所述第一缓冲层的材料包括多晶硅或氮化硅。

4.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层的材料与所述第二硬掩膜层的材料相同。

5.如权利要求4所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层与所述第一硬掩膜层的刻蚀选择比大于或等于10。

6.如权利要求5所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的材料包括多晶硅或氮化硅；所述第一硬掩膜层的材料包括氧化硅。

7.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述介质层的厚度范围为至

8.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一、第二硬掩膜层的厚度范围为

9.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层采用自对准式双重曝光光刻工艺形成。

10.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层采用自对准式双重曝光光刻工艺形成。

11.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层为纵向排布的线条状图形。

12.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层为横向排布的线条状图形。

13.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一、二、三光刻胶图形的材料为负性或者正性光刻胶。