[发明专利]晶片清洗装置及其工序方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片清洗装置及其工序方法，更详细地，涉及在用于去除晶片颗粒的清洗过程中即使不使用中性洗剂也能够完全去除上述颗粒来提供优质的晶片的晶片清洗装置及其工序方法。 

背景技术

一般来讲，晶片制造工序过程中包括使用化学/机械抛光装备（CMP装备）等进行的晶片抛光工序、用于去除作为在上述晶片抛光工序中产生的杂质的颗粒（Particle）的晶片清洗工序。 

在这种晶片清洗工序中，为了提高输送类型的横型刷的清洗力，如图1所示，多次将化学制品（chemical）等中性洗剂追加到清洗工序中来去除晶片的颗粒来作为最终工序。 

然而，这种利用中性洗剂进行的晶片清洗工序，尽管存在当使用中性洗剂用刷子刷的工序时应当容易去除晶片上的颗粒的要求，但存在结束清洗工序后仍有固着型颗粒残留的问题。 

并且，由于晶片清洗工序需要使用中性洗剂，因而存在晶片的制造单价上升的问题。 

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，本发明的目的在于，提供如下的晶片清洗装置及其工序方法：借助超纯水初始清洗收纳在盒中的晶片后，进行再次清洗的步骤，即，借助与上述晶片自转的同时另行旋转的旋转刷，并将上述晶片自转时产生的离心力设定为用于另行去除颗粒的参量（parameter），不使用中性洗剂只用超纯水个别地清洗经上述初始清洗后的上述晶片，从而能够提高清洗力。 

并且，本发明的再一目的在于，提供因未使用中性洗剂而能够降 低晶片的制造单价的晶片清洗装置及其工序方法。 

并且，本发明的另一目的在于，提供具有多个用于实现再次清洗的单元能够在短时间内清洗大量晶片，因而能够缩短清洗工序所需时间的晶片清洗装置及其工序方法。 

为了解决如上所述的技术问题，本发明的晶片清洗装置包括：第一清洗部，针对收纳在盒中的晶片，在收容有超纯水的浸渍单元利用氮泡沫清洗上述晶片；第二清洗部，与上述第一清洗部相邻设置，将清洗后的上述晶片放置于旋转卡盘，并借助上述旋转卡盘的旋转和旋转刷再次清洗上述晶片；干燥部，与上述第二清洗部相邻设置，用于对再次清洗后的上述晶片进行干燥；移送部，用于从上述第一清洗部向上述第二清洗部移送上述晶片或从上述第二清洗部向上述干燥部移送上述晶片，该移送部具有晶片处理器；以及控制部，用于控制上述第一清洗部、第二清洗部、干燥部以及移送部。 

并且，优选地，上述第二清洗部以多个单元构成，以反复进行多次将上述晶片再次清洗的工序。. 

并且，优选地，上述第二清洗部中包括第一分配喷嘴，该第一分配喷嘴用于向旋转卡盘方向喷射超纯水。 

并且，优选地，上述移送部中还具有传送臂。 

并且，优选地，上述干燥部中具有干燥卡盘，该干燥卡盘用于使经由上述第二清洗部的晶片旋转。 

本发明的晶片清洗方法包括以下步骤：步骤1），将收纳在盒中的晶片收容到在浸渍单元收容的超纯水中，利用氮泡沫第一次清洗晶片的步骤；步骤2），利用旋转卡盘和旋转刷使用超纯水再次清洗经上述步骤1）后的晶片的步骤；步骤3），对经上述步骤2）后的晶片进行干燥的步骤。 

并且，优选地，上述步骤2）中，上述旋转卡盘和旋转刷分别按正方向或逆方向旋转，上述旋转卡盘和旋转刷按相互不同的方向旋转来清洗上述晶片。 

此时，优选地，上述旋转刷一边从上述晶片的中心一侧向边缘方向扫掠一边移动。 

并且，优选地，上述步骤2）由多个单元进行，以依次清洗上述晶片，上述多个单元中的至少某一个单元反复实现清洗上述晶片的工作状态或不清洗上述晶片的等待状态。 

并且，优选地，上述步骤2）中，在等待状态下使用超纯水清洗上述旋转刷。 

根据本发明，借助超纯水初始清洗收纳在盒中的晶片后，进行再次清洗的步骤，即，借助与上述晶片自转的同时另行旋转的旋转刷，并将上述晶片自转时产生的离心力设定为用于另行去除颗粒的参量，不使用中性洗剂只用超纯水个别地清洗经上述初始清洗后的上述晶片，从而具有能够提高清洗力的效果。 

并且，因未使用中性洗剂，而具有能够降低晶片的制造单价的效果。 

并且，具有多个用于实现再次清洗的单元，能够在短时间内清洗大量晶片，因而具有能够缩短清洗工序所需时间的效果。 

附图说明

图1表示以往的利用中性洗剂清洗晶片的清洗装置。 

图2表示本发明的实施例的晶片清洗装置。 

图3表示本发明的实施例的晶片清洗装置的第一清洗部。 

图4表示本发明的实施例的晶片清洗装置的第二清洗部。