[发明专利]一种用于非晶硅沉积的控制系统有效
申请号: | 201210398114.7 | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN103774121A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 陈五奎;雷晓全;任陈平;王斌 | 申请(专利权)人: | 陕西拓日新能源科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/24 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 孟海娟 |
地址: | 715200 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 非晶硅 沉积 控制系统 | ||
1.一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:包括处理器,以及分别与处理器连接的真空传感器、氩气阀、氮气阀、起辉电源和用于抽真空的泵。
2.根据权利要求1所述的一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:所述处理器和氩气阀之间还设置有质量流程控制器,所述处理器和氮气阀之间还设置有质量流程控制器。
3.根据权利要求1所述的一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:所述的泵是罗茨泵。
4.根据权利要求1所述的一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:所述的泵包括相互独立的机械泵和罗茨泵。
5.根据权利要求1所述的一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:所述的起辉电源是AE电源。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:所述的处理器是PLC。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的