[发明专利]一种用于非晶硅沉积的控制系统有效

专利信息
申请号: 201210398114.7 申请日: 2012-10-19
公开(公告)号: CN103774121A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 陈五奎;雷晓全;任陈平;王斌 申请(专利权)人: 陕西拓日新能源科技有限公司
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52;C23C16/24
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 孟海娟
地址: 715200 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 非晶硅 沉积 控制系统
【权利要求书】:

1.一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:包括处理器,以及分别与处理器连接的真空传感器、氩气阀、氮气阀、起辉电源和用于抽真空的泵。

2.根据权利要求1所述的一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:所述处理器和氩气阀之间还设置有质量流程控制器,所述处理器和氮气阀之间还设置有质量流程控制器。

3.根据权利要求1所述的一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:所述的泵是罗茨泵。

4.根据权利要求1所述的一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:所述的泵包括相互独立的机械泵和罗茨泵。

5.根据权利要求1所述的一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:所述的起辉电源是AE电源。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种用于非晶硅沉积的控制系统,其特征是:所述的处理器是PLC。

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