[发明专利]一种用于非晶硅沉积的控制系统

说明书

技术领域

本发明涉及自动控制领域，具体涉及一种用于非晶硅沉积的控制系统。

背景技术

当前，我们国家在非晶硅产业化的过程中，主要模式是外购国外的设备，国外设备多结构复杂并且由国外技术人员调试，设备工艺参数一经确定很难以改动，从设备研发和工艺调整均受制于人，产品更新换代缓慢，且受行业危机影响，非晶硅的研发也停滞不前，不利于行业的技术创新和非晶硅产业技术升级与产品换代。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种用于非晶硅沉积的控制系统。

本发明的技术方案是：一种用于非晶硅沉积的控制系统，包括处理器，以及分别与处理器连接的真空传感器、氩气阀、氮气阀、起辉电源和用于抽真空的泵。

上述的一种用于非晶硅沉积的控制系统，所述处理器和氩气阀之间还设置有质量流程控制器，所述处理器和氮气阀之间还设置有质量流程控制器。

上述的一种用于非晶硅沉积的控制系统，所述的泵是罗茨泵。

上述的一种用于非晶硅沉积的控制系统，所述的泵包括相互独立的机械泵和罗茨泵。

上述的一种用于非晶硅沉积的控制系统，所述的起辉电源是AE电源。

上述的一种用于非晶硅沉积的控制系统，所述的处理器是PLC。

本发明的有益效果是：使用真空传感器测量真空的压力变化数据，将数据发送至PLC进行数据处理，进一步调节自动阀门开度，配合控制阀来自动控制室内压力。质量流量控制器，测量气体的流量变化数据发送PLC进行气体流量数据处理。本发明结构简单，参数修改方便快捷，能满足工艺对流量的精确控制要求。

附图说明

图1为本发明的结构示意框图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

如图1所示的本发明的结构示意框图，一种用于非晶硅沉积的控制系统，包括处理器，以及分别与处理器连接的真空传感器、氩气阀、氮气阀、起辉电源和用于抽真空的泵，所述的处理器优选PLC，所述的起辉电源优选AE电源。

上述的一种用于非晶硅沉积的控制系统，所述处理器和氩气阀之间还设置有质量流程控制器，所述处理器和氮气阀之间还设置有质量流程控制器。

上述的一种用于非晶硅沉积的控制系统，所述的泵是罗茨泵。

上述的一种用于非晶硅沉积的控制系统，所述的泵包括相互独立的机械泵和罗茨泵，所述的机械泵用于对对非晶硅等离子体沉积设备进行初抽真空，当真空度到达1.0*10后启动罗茨泵进行二级抽空。当真空度达到1.0*10-2时，PLC通过控制氩气阀向设备内通入300sccm氩气，制造氩气沉积环境，氩气通入后，设备室内压力会升高，当压力升高到5.0*10-1时，PLC向AE电源发出开启信号，在氩气环境下进行起辉30s，起辉完成后关闭电源，PLC通过控制氮气阀向设备内通入355sccm氮气对设备进行降温冲压，以便于打开设备盖板，完成沉积。

以上所述仅是本发明的优选实现方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。