[发明专利]基片承载装置及金属有机化学气相沉积装置有效

专利信息
申请号: 201210396337.X 申请日: 2012-10-17
公开(公告)号: CN103774118A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 马悦 申请(专利权)人: 理想能源设备(上海)有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 黄海霞
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 承载 装置 金属 有机化学 沉积
【权利要求书】:

1.一种基片承载装置,其应用于半导体处理装置中,所述基片承载装置包括的承载板以及与所述承载板相连的承载轴,所述承载轴与旋转驱动单元相连接,所述旋转驱动单元驱动所述承载轴旋转,其特征在于,所述承载板具有卡扣部,所述承载轴具有卡扣对接部用以与所述卡扣部相配合,所述卡扣部与所述卡扣对接部具有不同的热膨胀系数,使得所述卡扣部与所述卡扣对接部在受热升温后能够叩齿的更加牢固。

2.根据权利要求1所述的基片承载装置,其特征在于:所述承载板具有基片承载面以及与所述基片承载面相对的卡扣面,所述卡扣部为设置在所述卡扣面上的固定块,所述固定块下部设置有卡扣凹槽,所述卡扣对接部为设置在所述承载轴上端的突出部,所述突出部凸伸至所述卡扣凹槽内。

3.根据权利要求2所述的基片承载装置,其特征在于:所述卡扣凹槽具有面向所述突出部的底表面,所述底表面与所述突出部之间存在间隙。

4.根据权利要求3所述的基片承载装置,其特征在于:所述卡扣部的热膨胀系数小于所述卡扣对接部。

5.根据权利要求4所述的基片承载装置,其特征在于:所述卡扣部的材质为SiC或具有SiC涂层的石墨材料,所述卡扣对接部的材料为BN、Si3N4、B4C、铝等陶瓷材料。

6.根据权利要求1所述的基片承载装置,其特征在于:所述承载板具有基片承载面以及与所述基片承载面相对的卡扣面,所述卡扣部为设置在所述卡扣面上的固定块,所述卡扣对接部设置在所述承载轴的上端,其具有收容所述固定块的凹部。

7.根据权利要求6所述的卡扣面上的固定块和所述卡扣对接部,其特征在于,在受热膨胀后所述的卡扣面上的固定块受到来自所述卡扣对接部的压应力。

8.根据权利要求6所述的基片承载装置,其特征在于:所述凹部具有底面,所述固定块具有远离所述承载板的下表面,所述下表面与所述底面之间存在间隙。

9.根据权利要求8所述的基片承载装置,其特征在于:所述卡扣部的热膨胀系数大于所述卡扣对接部。

10.根据权利要求9所述的基片承载装置,其特征在于:所述卡扣部的材质为石墨或具有SiC涂层的石墨材料,所述卡扣对接部的材料为SiC、BN、石英、Si3N4、B4C等陶瓷材料。

11.根据权利要求3或8所述的基片承载装置,其特征在于:所述卡扣面与所述卡扣部之间设置有卡扣连接部,以降低所述卡扣部与所述承载板之间的热传导。

12.根据权利要求11所述的基片承载装置,其特征在于:所述半导体处理装置为生长LED外延片的金属氧化物化学气相沉积装置。

13.根据权利要求12所述的基片承载装置,其特征在于:所述卡扣对接部具有面向所述承载板的顶面,所述顶面为织构表面。

14.根据权利要求13所述的基片承载装置,其特征在于:所述织构表面由磷酸或硝酸与氢氟酸混合物刻蚀而形成。

15.根据权利要求14所述的基片承载装置,其特征在于:所述承载板可被加热器加热到20-1500摄氏度。

16.根据权利要求15所述的基片承载装置,其特征在于:所述承载板与所述卡扣部一体形成。

17.根据权利要求6所述的基片承载装置,其特征在于:所述卡扣部具有平行于所述承载板的非圆形横截面。

18.根据权利要求6所述的基片承载装置,其特征在于:所述卡扣部具有垂直于所述承载板的倒梯形横截面。

19.一种金属有机化学气相沉积装置,其包括腔体以及设置于所述腔体内的喷淋组件、基片承载装置和加热器,所述喷淋组件设置于所述腔体的顶部,所述基片承载装置设置于所述腔体的底部,所述喷淋组件与基片承载装置相对设置,所述加热器用于加热所述基片承载装置,其特征在于:所述基片承载装置为如上所述权利要求1所述的基片承载装置。

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