[发明专利]三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210393514.9 申请日: 2012-10-17
公开(公告)号: CN102903456A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 马洪芳;刘文斐;刘志宝;马芳;张志坚 申请(专利权)人: 山东建筑大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/08;H01B5/14
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 侯绪军
地址: 250101 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 掺杂 新型 透明 导电 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法,特别涉及一种三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法。

背景技术

ZnO基透明导电薄膜作为ITO(Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物)薄膜最合适的替代者之一,它可以应用在太阳能电极、液晶显示屏、光电器件、特殊功能窗口涂层等方面。不同于ITO薄膜的是:1. Zn比In/Sn的存储量丰富且廉价无毒;2. ZnO薄膜在氢气环境下不易生还原反应,也不会变黑导致透光率降低;3. ZnO基薄膜的生产工艺相对简单,成本低。ZnO晶体结构中存在天然的锌间隙与氧空位,这样相对开放式的晶体结构,使得外来原子容易进入ZnO,且不影响其晶体结构。经过掺杂后,ZnO薄膜因其组分、微结构和缺陷发生变化,使得该类薄膜具有较低的电阻率和较高的透光率,并且在等离子体环境中有较高的稳定性。目前研究较多的为单金属掺杂。Al是掺杂效果较好的,且当Al3+掺杂浓度过高时,晶粒里的Al3+会在内部团簇,反而会使部分产生施主载流子的Al3+钝化,降低载流子浓度。而F元素的掺入可在ZnO点阵中形成置换晶界, 使载流子浓度增加从而提高导电性。N元素作为最好的p型掺杂元素,在ZnO中能够产生浅受主能级,且与施主元素共掺后可以提高N的溶解度,产生更浅的N受主能级。因此有必要通过Al、N、F三元素共掺,减少ZnO基透明导电薄膜中的缺陷,增加载流子浓度,从而获得一种具有优良光电性能的新型透明导电薄膜,使其得到更好利用。

发明内容

本发明通过Al、N、F三元素共掺,以减少ZnO基透明导电薄膜中的缺陷,增加载流子浓度,从而获得一种具有优良光电性能的新型透明导电薄膜,使其得到更好利用。

本发明的目的是采用下述技术方案实现的:

一种三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法,它包括以下步骤: 

A)前处理:将普通载玻片先后放入丙酮(C3H6O)、无水乙醇及去离子水中进行超声清洗,然后吹干备用;

B)溶胶配制:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚(C3H6O2)后,加入Al3+,然后加入NH4+和F-;其中Al3+和NH4+的掺杂比为2:1,NH4+和F-的浓度相等;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入40-80°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;

C)旋涂镀膜:将通过A)步骤前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把通过B)步骤陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,旋转,烘干;

D)热处理:将通过C)步骤处理后的镀膜载玻片于150-400°C下预烧后,继续C)步骤,如此重复涂镀4-14层后,在450-700°C条件下退火1h。

作为优选,三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法,它包括以下步骤: 

A)前处理:将2×2cm的普通载玻片先后放入丙酮(C3H6O)、无水乙醇及去离子水中超声清洗,分别进行5-20min,然后吹干备用;

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