[发明专利]氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构无效
| 申请号： | 201210388260.1 | 申请日： | 2012-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102945904A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 杜高云;张淋;邓群雄 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214111 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 电极 发光二极管 芯片 结构 | ||
1.一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，包括衬底（1）及位于衬底（1）上方的P电极（5）和N电极（6），衬底（1）上淀积N型氮化镓层（2），N型氮化镓层（2）覆盖于衬底（1）上；在所述N型氮化镓层（2）上设有量子阱（3），量子阱（3）上设有P型氮化镓层（4），P型氮化镓层（4）上设有透明导电层（7），透明导电层（7）覆盖于P型氮化镓层（4）上，并与P型氮化镓层（4）电连接；所述透明导电层（7）上淀积有钝化层（8），钝化层（8）覆盖于透明导电层（7）上，并包覆透明导电层（7）下方的P型氮化镓层（4）与量子阱（3）；在所述钝化层（8）上设有接触孔，P电极（5）填充于该接触孔内，P电极（5）与透明导电层（7）等电位连接；其特征是：在所述P电极（5）下方的P型氮化镓层（4）上刻蚀形成P型蚀刻区（9），P型蚀刻区（9）从P型氮化镓层（4）的上表面向N型氮化镓层（2）的方向延伸，P型蚀刻区（9）在P型氮化镓层（4）内延伸的距离小于P型氮化镓层（4）的厚度；所述P电极（5）填充于P型蚀刻区（9）内，并与P型氮化镓层（4）等电位连接。
2.如权利要求1所述的氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，其特征是：所述P型蚀刻区（9）在P型氮化镓层（4）内的深度为500埃～2000埃。
3.如权利要求1所述的氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，其特征是：所述N型氮化镓层（2）的端部设有台阶（10），在该台阶（10）覆盖的钝化层（8）上设有接触孔，在接触孔内设有N电极（6），N电极（6）与N型氮化镓层（2）电连接。
4.如权利要求1所述的氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，其特征是：所述衬底（1）为蓝宝石基板。
5.如权利要求1所述的氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，其特征是：所述钝化层（8）的材料为二氧化硅或氮化硅。
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