[发明专利]电子装置的制造方法、带树脂层的载体基板的制造方法无效
申请号: | 201210387034.1 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN103050440A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 内田大辅;江畑研一;角田纯一 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56;B32B37/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 树脂 载体 | ||
技术领域
本发明涉及电子装置的制造方法以及带树脂层的载体基板的制造方法。
背景技术
近年来,太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等装置(电子设备)正在薄型化、轻量化,用于这些装置的玻璃基板也正在薄板化。如果由于薄板化导致玻璃基板的强度不足,则在装置的制造工序中,玻璃基板的处理性降低。
因此,一直以来,在比最终厚度厚的玻璃基板上形成装置用构件(例如薄膜晶体管)后通过化学蚀刻处理将玻璃基板薄板化的方法被广泛采用。然而,在该方法中,例如将1片玻璃基板的厚度从0.7mm薄板化至0.2mm、0.1mm的情况下,原本的玻璃基板的材料的大半会被蚀刻液去除,因此从生产率、原材料的使用效率这样的观点出发不优选。
另外,在上述的基于化学蚀刻的玻璃基板的薄板化方法中,在玻璃基板表面存在微小伤痕的情况下,有由蚀刻处理导致以伤痕为起点形成微小的凹坑(蚀坑)、形成光学上的缺陷的情况。
在最近,为了应对上述问题,提出了下述方法:准备层叠有玻璃基板和增强板的层叠体,在层叠体的玻璃基板上形成显示装置等电子装置用构件,然后自玻璃基板分离增强板(例如参照专利文献1)。增强板具有支撑体(以后也适当地称为载体基板)和固定在该支撑体上的树脂层,树脂层与玻璃基板可剥离地密合。层叠体的树脂层与玻璃基板的界面剥离的、自玻璃基板分离的增强板可以与新的玻璃基板层叠,作为层叠体再利用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第07/018028号小册子
发明内容
发明要解决的问题
一方面,近年来,伴随着电子装置的高性能化的要求,电子装置用构件变得越发微小化,实施的工序更加繁杂化。在该状况下,也需要生产率良好地制造性能优异的电子装置。
本发明人等使用专利文献1所记载的层叠体进行电子装置的制造时发现,存在所得电子装置的性能差的情况。例如,进行OLED面板制作时,存在在该面板的驱动区域内产生显示不均的情况。
本发明人等对上述原因进行研究时发现,专利文献1所记载的层叠体中存在树脂层的厚度不均(尤其在周缘部的凸部),这会损害玻璃基板的平坦性,结果会降低电子装置的制造产量。
在图6的(A)中示出了在制作专利文献1所记载的层叠体时使用的、具有载体基板14和树脂层18的带树脂层的载体基板22的剖视图。在带树脂层的载体基板22中的树脂层18的露出表面上层叠玻璃基板,形成层叠体。如图6的(A)所示,用专利文献1所记载的方法形成的树脂层18存在厚度不均。该厚度不均在树脂层18的外周缘附近尤其显著,形成凸部34。在这样的存在厚度不均的树脂层18上层叠玻璃基板24时,玻璃基板24的中央部会如凹下去一般弯曲,损坏玻璃基板24的平坦性(参照图6的(B))。由于玻璃基板24的平坦性受损,发生配置在玻璃基板24上的电子装置用构件的位置偏移等,结果有引起电子装置的性能降低的担心。
另外,如图6的(B)所示,在这样的带树脂层的载体基板22上层叠玻璃基板24时,玻璃基板24与树脂层18之间形成空隙36。将层叠体供于电子装置用构件的制造工序,在玻璃基板24的露出表面上形成导电层等功能层。此时,会使用抗蚀液等各种溶液。
在层叠体中存在空隙36时,各种溶液会基于毛细管现象而进入空隙36。进入到空隙36的材料即使通过洗涤也难以除去,在干燥后易作为杂质残留。该杂质通过加热处理等会成为污染电子装置用构件的污染源,因而会使电子装置的性能降低,或者使产量降低。
本发明是鉴于上述问题而进行的,其目的在于提供使用平坦性优异的带树脂层的载体基板的、生产率优异的电子装置的制造方法。
另外,本发明的目的还在于提供固定有对对象显示可拆卸的密合性、平坦性优异的树脂层的带树脂层的电子装置的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究,结果完成了本发明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造