[发明专利]电子装置的制造方法、带树脂层的载体基板的制造方法无效
申请号: | 201210387034.1 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN103050440A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 内田大辅;江畑研一;角田纯一 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56;B32B37/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 树脂 载体 | ||
1.一种电子装置的制造方法,其为包含玻璃基板和电子装置用构件的电子装置的制造方法,
其包括如下工序:
辅助基板准备工序:准备具有显示易剥离性的表面的剥离性辅助基板;
第一层叠工序:形成按顺序具有所述剥离性辅助基板、和在所述剥离性辅助基板的显示易剥离性的表面上的未固化的固化性树脂组合物层以及载体基板的固化前层叠体;
固化工序:使所述固化前层叠体中的所述未固化的固化性树脂组合物层固化,得到具有树脂层的固化后层叠体;
第一分离工序:自所述固化后层叠体分离得到带树脂层的载体基板,所述带树脂层的载体基板具有所述载体基板和与所述载体基板的表面接触的所述树脂层;
第二层叠工序:在所述带树脂层的载体基板中的树脂层表面上可剥离地层叠玻璃基板;
构件形成工序:在所述玻璃基板的表面上形成电子装置用构件,得到带电子装置用构件的层叠体;和
第二分离工序:自所述带电子装置用构件的层叠体除去所述带树脂层的载体基板,得到具有所述玻璃基板和所述电子装置用构件的电子装置。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法,其中,所述未固化的固化性树脂组合物层的外形尺寸比所述载体基板的外形尺寸大,
在所述第一层叠工序中,以在所述未固化的固化性树脂组合物层上留出不与所述载体基板接触的周缘区域的方式,将所述载体基板层叠在所述未固化的固化性树脂组合物层上。
3.根据权利要求1或2所述的电子装置的制造方法,其中,所述第一层叠工序为在所述剥离性辅助基板的显示易剥离性的表面上涂布固化性树脂组合物而形成所述未固化的固化性树脂组合物层、再在所述未固化的固化性树脂组合物层上层叠所述载体基板的工序。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的电子装置的制造方法,其中,在所述第一层叠工序之后且在所述固化工序之前,还具备进行所述未固化的固化性树脂组合物层的脱泡处理的脱泡工序。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的电子装置的制造方法,其中,所述辅助基板准备工序为使用剥离剂处理辅助基板的表面,从而得到具有显示易剥离性的表面的剥离性辅助基板的工序。
6.根据权利要求5所述的电子装置的制造方法,其中,所述剥离剂含有具有甲基甲硅烷基或氟代烷基的化合物。
7.根据权利要求5所述的电子装置的制造方法,其中,所述剥离剂含有硅油或氟系化合物。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的电子装置的制造方法,其中,所述树脂层含有硅酮树脂。
9.根据权利要求1~8中的任一项所述的电子装置的制造方法,其中,所述树脂层为由具有烯基的有机烯基聚硅氧烷、和具有与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷的组合形成的加成反应型硅酮的固化物。
10.根据权利要求9所述的电子装置的制造方法,其中,所述有机氢聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子相对于所述有机烯基聚硅氧烷的烯基的摩尔比为0.5~2。
11.根据权利要求1~10中的任一项所述的电子装置的制造方法,其中,所述树脂层含有5质量%以下的非固化性的有机聚硅氧烷。
12.一种带树脂层的载体基板的制造方法,其为用于玻璃基板的运送的、具有与所述玻璃基板的下表面可剥离地密合的树脂层的带树脂层的载体基板的制造方法,
其包括如下工序:
辅助基板准备工序:准备表面显示易剥离性的剥离性辅助基板;
层叠工序:形成按顺序具有所述剥离性辅助基板、和在所述剥离性辅助基板的显示易剥离性的表面上的未固化的固化性树脂组合物层以及载体基板的固化前层叠体;
固化工序:使所述固化前层叠体中的所述未固化的固化性树脂组合物层固化,得到具有树脂层的固化后层叠体;和
分离工序:自所述固化后层叠体分离得到带树脂层的载体基板,所述带树脂层的载体基板具有所述载体基板和与所述载体基板的表面接触的所述树脂层。
13.根据权利要求12所述的带树脂层的载体基板的制造方法,其中,所述未固化的固化性树脂组合物层的外形尺寸比所述载体基板的外形尺寸大,
在所述层叠工序中,以在所述未固化的固化性树脂组合物层上留出不与所述载体基板接触的周缘区域的方式,将所述载体基板层叠在所述未固化的固化性树脂组合物层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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