[发明专利]正型感光性组合物

说明书

技术领域

本发明涉及能够碱显影的正型感光性树脂组合物、及使用了该正型感光性树脂组合物的正型永久抗蚀剂。

背景技术

在薄膜晶体管（以下记为“TFT”）型液晶显示元件或磁头元件、集成电路元件、固体摄像元件等电子部件中，通常为了将以层状配置的布线之间绝缘而设置层间绝缘膜。作为形成层间绝缘膜的材料，优选用于得到所需的图案形状的工序数目少、且具有充分的平坦性的材料，所以广泛使用感放射线性树脂组合物（参照专利文献1）。上述电子部件中，例如TFT型液晶显示元件由于经由在上述的层间绝缘膜上形成透明电极膜，进一步在其上形成液晶取向膜的工序而制造，所以层间绝缘膜在透明电极膜的形成工序中暴露于高温条件下，或暴露于在电极的图案形成中使用的抗蚀剂的剥离液中，因而需要对它们具有充分的耐性。此外，有时通过制造工序而形成的层间绝缘膜还暴露于干式蚀刻中，因而需要对干式蚀刻具有充分的耐性（参照专利文献2）。

此外近年，在TFT型液晶显示元件中，存在大画面化、高亮度化、高精细化、高速响应化、薄型化等动向，其中使用的层间绝缘膜形成用组合物要求为高感度，对所形成的层间绝缘膜，在低介电常数、高透射率等方面要求比以往更高的性能，特别是在耐热性方面，要求300～350℃左右的耐热性。作为绝缘性、耐热性、耐溶剂性、干式蚀刻耐性等优异、且能够形成微细的图案的层间绝缘膜材料，开发了含有具有羧基的聚硅氧烷化合物和感光性重氮醌化合物的正型感光性树脂组合物（参照专利文献3、4），但由于显影工序中的显影容限（margin）（显影时间达到最佳的时间的幅度）小，所以若显影时间稍微变得过量，则显影液容易渗透至图案与基板之间而产生剥离，因此需要严格控制显影时间，在产品的成品率方面存在问题。此外，在专利文献3、4中记载的具有羧基的聚硅氧烷化合物的制造中，由于容易引起在聚硅氧烷中导入羧基的反应的副反应，所以以羧基被保护基盖住的化合物作为原料，因此，之后需要将保护基脱离的工序，还存在工序繁杂的问题。

另一方面，还已知含有具有酸解离性溶解抑制基的聚硅氧烷化合物和光产酸剂的化学增幅型的正型感光性树脂组合物（参照专利文献5），但作为TFT型液晶显示元件的层间绝缘膜形成用组合物，耐热性不充分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-354822号公报

专利文献2：日本特开2005-345757号公报

专利文献3：日本特开2010-101957号公报

专利文献4：国际公开第2010/047148号

专利文献5：日本特开2007-182555号公报

发明内容

发明所要解决的问题

因此，本发明的目的在于提供一种正型感光性树脂组合物，其适合于形成高耐热性、高耐溶剂性、高透射率、低介电常数的层间绝缘膜，且具有在显影工序中即使超过最佳显影时间也能够形成良好的图案形状的大的显影容限。

用于解决问题的手段

本发明通过提供一种正型感光性组合物，从而达成上述目的，其特征在于，该正型感光性组合物含有：作为（A）成分的、使下述通式（1）表示的环状硅氧烷化合物和下述通式（2）表示的烷氧基硅烷化合物进行水解缩合反应而得到的聚硅氧烷化合物，作为（B）成分的光产酸剂，及作为（C）成分的有机溶剂。

（式中，R¹表示碳原子数为1～4的烷基或碳原子数为6～10的芳基，R²表示碳原子数为2～10的2价的烃基，R³表示碳原子数为2～10的2价的饱和脂肪族烃基，X¹及X²表示可相同也可不同的酸解离性溶解抑制基团，X³表示下述通式（3）表示的基团或下述通式（4）表示的基团。m表示0～5的数，n表示0～5的数，p表示1～5的数。其中，m+n+p为3～6的数。）

（式中，R⁴表示碳原子数为6～10的芳基，R⁵及R⁶分别独立地表示可相同也可不同的碳原子数为1～4的烷基，a表示2或3的数。）

（式中，R⁷表示碳原子数为2～10的2价的饱和烃基，R⁸及R⁹分别独立地表示可相同也可不同的碳原子数为1～4的烷基，b表示2或3的数。）