[发明专利]图案化金属线路的制备方法有效
申请号: | 201210376515.2 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103219243A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 金云霞;肖斐 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C23C18/31;C23C18/18 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 卢刚 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 金属 线路 制备 方法 | ||
1.一种图案化金属线路的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:
提供一基底;
利用配制的活化液和光刻或印刷技术,在所述基底上制备图案化多巴胺类基底表面;其中,在所述活化液中加入有多巴胺类物质;
将所述图案化的基底置于金属镀液中,在所述基底表面裸露有多巴胺类物质的地方沉积一层金属;所述金属镀液中加入有还原剂;
所述图案化金属线路为图案化导电薄膜或精细线路;
其中,如果待制备的图案化导电薄膜为单面图案化导电薄膜,则在所述基底上制备图案化多巴胺类基底表面的步骤中,在所述基底的一面涂上无法与金属反应的阻挡层后再在该基底的另一面制备所述图案化多巴胺类基底表面;或者,在将所述图案化的基底置于金属镀液中的步骤前,将基底的未图案化的一面涂上所述阻挡层。
2.根据权利要求1所述的图案化金属线路的制备方法,其特征在于,所述还原剂为以下之一或其任意组合的混合物:
葡萄糖、甲醛、酒石酸、酒石酸钾钠、二甲基胺基硼烷、硼氢化钠、二盐酸肼、硫酸肼、肼、次磷酸钠、乙醛酸、苹果酸、次亚磷酸钠、柠檬酸、柠檬酸钠、抗坏血酸、N,N-二甲基甲酰胺、乙二醇、戊二醛。
3.根据权利要求1所述的图案化金属线路的制备方法,其特征在于,所述利用配制的活化液和光刻或印刷技术,在所述基底上制备图案化多巴胺类基底表面的步骤中,包含以下子步骤:
将所述基底置于所述活化液中;
从所述活化液中取出所述基底后,将需图案化的一面基底进行光刻或印刷,得到所述图案化多巴胺类基底表面;
在将所述图案化的基底置于金属镀液中的步骤之后,还执行以下步骤:
除去所述光刻或印刷过程中用于光刻或印刷的物质。
4.根据权利要求3所述的图案化金属线路的制备方法,其特征在于,所述用于光刻或印刷的物质包含:
光刻胶、压印胶、油墨、不与金属反应的物质。
5.根据权利要求1所述的图案化金属线路的制备方法,其特征在于,所述利用配制的活化液和光刻或印刷技术,在所述基底上制备图案化多巴胺类基底表面的步骤中,包含以下子步骤:
对所述基底的需图案化的一面进行光刻或印刷,形成所需的图案;
将所述基底置于所述活化液中;
从所述活化液中取出所述基底后,除去所述光刻或印刷过程中用于光刻或印刷的物质,得到所述图案化多巴胺类基底表面。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的图案化金属线路的制备方法,其特征在于,
在将所述基底置于所述活化液中时,所述活化液暴露在空气中,或者,将氧气通入到所述活化液中,或者,在所述活化液中加入氧化性物质。
7.根据权利要求3至5中任一项所述的图案化金属线路的制备方法,其特征在于,
所述基底置于所述活化液内的时长为1秒至100小时;
所述基底置于所述活化液内时的反应温度小于100°C。
8.根据权利要求1所述的图案化金属线路的制备方法,其特征在于,所述活化液中pH缓冲物质为磷酸二氢钠-柠檬酸缓冲液、磷酸氢二钠-磷酸二氢钠缓冲液、巴比妥钠盐酸缓冲液、Tris-盐酸缓冲液、碳酸钠-碳酸氢钠缓冲液中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的图案化金属线路的制备方法,其特征在于,
所述活化液的pH值范围为2至11。
10.根据权利要求1所述的图案化金属线路的制备方法,其特征在于,所述多巴胺类物质为如下任一结构式的多巴胺类物质,或者为如下任一结构式的多巴胺类物质的聚合体、配位体、酸式盐或碱式盐:
其中,R为烷基或取代烷基,R1为H、烷基或取代烷基,R2为H、烷基或取代烷基。
11.根据权利要求1所述的图案化金属线路的制备方法,其特征在于,所述金属镀液为商品化金属镀液,或者,所述金属镀液由以下组分组成:
金属盐、溶剂水、还原剂、添加剂;
其中,所述金属盐为铜盐或银盐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造