[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210376238.5 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103295884A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 西尾让司;太田千春;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于
准备六方晶系的碳化硅基板，
向上述碳化硅基板进行离子注入，
在进行了离子注入后的上述碳化硅基板上通过外延生长来形成碳化硅膜，
在上述碳化硅膜中形成pn结区域。
2.如权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在上述碳化硅基板的基板温度为100℃以下的状态下，进行向上述碳化硅基板的离子注入。
3.如权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
向上述碳化硅基板的离子注入中，注入与上述碳化硅基板的导电类型相同的导电类型的杂质。
4.如权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
不是在上述碳化硅基板上形成膜而是直接在上述碳化硅基板表面露出的状态下，进行向上述碳化硅基板的离子注入。
5.如权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在上述碳化硅基板的规定区域有选择地进行向上述碳化硅基板的离子注入。
6.如权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
上述碳化硅基板是n型的，在向上述碳化硅基板的离子注入中，注入磷或氮。
7.如权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在向上述碳化硅基板的离子注入中，剂量为1E15cm-2以上1E17cm-2以下。
8.如权利要求5记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在将上述碳化硅膜的厚度设为d、将相对于上述碳化硅基板的(0001)面的偏离角设为α的情况下，进行向上述碳化硅基板的离子注入，以使得将器件工作所用到的上述pn结区域向通过外延生长而生长的上述碳化硅膜的台阶流动方向的上游侧错开了d/tanα后的区域包含在离子注入区域内。
9.如权利要求1记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
上述碳化硅基板的表面在相对于(0001)面为<21-30>±5度的方向上具有1度以上8度以下的偏离角。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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