[发明专利]一种管式PECVD镀膜方法无效
| 申请号： | 201210368157.0 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102856176A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 庞瑞卿;王海超;王昭;赵辉;黄登銮 | 申请（专利权）人： | 合肥海润光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/673;H01L21/318 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 镀膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种管式PECVD镀膜方法，其特征在于：具体方法如下：
（1）石英炉管内放入21片石墨舟，石墨舟片间距为10mm；
（2）抽真空，石英炉管压力小于50mTorr；
（3）检漏，漏率低于40mTorr/min ；
（4）清洁表面：石墨舟及硅片表面用等离子清洗4min-5min；
（5）预沉积：利用低流量氨气和硅烷在硅片表面形成极薄的氮化硅薄膜，为氮化硅薄膜的生长做准备；
（6）氮化硅薄膜沉积：沉积过程中，射频功率：7500～9000w，氨气流量：7000～8500sccm，硅烷流量：600～800sccm，射频（RF）开关比为4/72，炉管压力1600～1800mTorr。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
