[发明专利]半导体器件的形成方法以及MOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括:

提供衬底，所述衬底上形成有伪栅，所述伪栅的顶部和侧壁上覆盖有掩膜层；

对衬底表面以及伪栅顶部的掩膜层表面进行离子注入，形成离子注入层；

去除伪栅侧壁上的掩膜层；

去除所述离子注入层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材质为氮化硅。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入的离子为磷离子、硼离子、二氟化硼离子、砷离子、锗离子、氩离子、碳离子、氧离子、氮离子、氟离子、硅离子、硫离子、氯离子中的一种或者几种，所述离子注入的方向与所述衬底的上表面垂直。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入的离子为氧离子时，注入能量为1KeV~5000KeV，注入剂量为10¹⁰/cm²~10²³/cm²。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述离子注入层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液中氢氟酸与水的体积比为1:10~1:1000，湿法刻蚀的时间为10s~1800s。

6.如权利要求1或2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除伪栅侧壁上的掩膜层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为磷酸溶液，所述磷酸溶液的温度为110℃~180℃，湿法刻蚀的时间为30s~600s。

7.如权利要求1或2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在去除所述离子注入层后，还包括：以所述伪栅顶部上的掩膜层为掩模，在所述衬底表面形成金属硅化物层。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物层的材质为NiSi₂和NiSi中的一种或组合。

9.如权利要求1或2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成离子注入层后，还包括：进行退火处理。

10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火处理为快速热退火，所述退火处理的温度为100℃~1400℃，退火气体为氮气、氩气、氢气或者氦气，退火时间为0s~120s。

11.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括栅介质层以及位于栅介质层上的伪栅，所述伪栅极结构的顶部和侧壁上覆盖有掩膜层；

以所述掩膜层为掩模，刻蚀所述伪栅极结构两侧的衬底，形成凹槽，并在所述凹槽内填满锗硅层；

对所述衬底和锗硅层表面以及伪栅极结构顶部上的掩膜层表面进行离子注入，形成离子注入层；

去除伪栅极结构侧壁上的掩膜层；

去除所述离子注入层；

对伪栅极结构两侧的衬底进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区；

形成覆盖所述伪栅极结构侧壁的侧墙；

对所述锗硅层进行重掺杂离子注入，形成重掺杂区。

12.如权利要求11所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材质为氮化硅。

13.如权利要求11或12所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，对所述衬底和锗硅层表面以及伪栅极结构顶部上的掩膜层表面进行离子注入时，所述离子注入的离子为磷离子、硼离子、二氟化硼离子、砷离子、锗离子、氩离子、碳离子、氧离子、氮离子、氟离子、硅离子、硫离子、氯离子中的一种或者几种，所述离子注入的方向与所述衬底的上表面以及锗硅层的上表面垂直。

14.如权利要求13所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子注入的离子为氧离子时，注入能量为1KeV~5000KeV，注入剂量为10¹⁰/cm²~10²³/cm²。