[发明专利]一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）现已广泛的应用于各个领域，如家庭、公共场所、办公场所以及个人电子相关产品等。其中，基于高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，ADS）的液晶显示器由于具备高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点，因此得到越来越多的应用。ADS模式液晶显示装置通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率，大大提高TFT-LCD产品的画面品质。

在ADS模式的TFT-LCD中，数据线上方存在公共电极，所述公共电极与所述数据线之间存在耦合电容（Cdc），所述耦合电容会带来显示时的泛绿（Greenish）以及串扰（cross talk）等问题。

为克服该问题，现有技术中的一种解决方案为，在数据线所在的层与公共电极所在的层之间设置树脂层，通过所述树脂层来减少所述数据线和所述公共电极之间的耦合电容。在该解决方案中，由于树脂层也存在于像素电极和漏电极之间，所述像素电极与所述漏电极位于不同的层，因此，需要在树脂层上形成过孔（via hole），所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。随着显示装置的分辨率的逐步提高，子像素的面积越来越小，这样，过孔所占的面积会对阵列基板的开口率带来较大的影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法，能够在降低数据线与透明电极层之间的耦合电容的同时，提高阵列基板的开口率。

为实现上述目的，本发明提供技术方案如下：

一种阵列基板，所述阵列基板的数据线所在的层与透明电极层之间设置有树脂层，所述树脂层具有暴露出像素区域的开口。

上述的阵列基板，其中：

所述阵列基板的栅线所在的层与所述透明电极层之间，以及，所述阵列基板的薄膜晶体管与所述透明电极之间，设置有所述树脂层。

上述的阵列基板，其中，包括：

基板；

位于所述基板上的栅电极和栅线；

位于形成有栅电极和栅线的基板上的栅绝缘层；

位于栅绝缘层上的半导体层、源电极、漏电极和数据线；

位于形成有半导体层、源电极、漏电极和数据线的基板上的树脂层和像素电极，所述树脂层具有暴露出像素区域的开口，所述像素电极与所述漏电极直接连接；

位于形成有树脂层和像素电极的基板上的钝化层；

位于钝化层上的公共电极，所述公共电极包括位于所述数据线上方的第一公共电极和位于所述像素电极上方的第二公共电极。

上述的阵列基板，其中，还包括：

形成在所述源电极、漏电极与半导体层之间的欧姆接触层。

上述的阵列基板，其中：

所述树脂层的材料为不透明树脂材料。

为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

为实现上述目的，本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括：在所述阵列基板的数据线所在的层与钝化层之间形成树脂层，并在所述树脂层中形成暴露出像素区域的开口。

上述的制造方法，其中，还包括：

在所述阵列基板的栅线所在的层与所述透明电极层之间，以及，在所述阵列基板的薄膜晶体管与所述透明电极之间，形成所述树脂层

上述的制造方法，其中，具体包括：

在基板上形成栅电极和栅线；

在形成有栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成半导体层、源电极、漏电极和数据线；

在形成有半导体层、源电极、漏电极和数据线的基板上形成树脂层和像素电极，并在所述树脂层中形成暴露出像素区域的开口，所述像素电极与所述漏电极直接连接；

在形成有树脂层和像素电极的基板上形成钝化层；

在钝化层上形成公共电极，所述公共电极包括位于所述数据线上方的第一公共电极和位于所述像素电极上方的第二公共电极。

上述的制造方法，其中，还包括：

在所述源电极、漏电极与半导体层之间形成欧姆接触层。

上述的制造方法，其中，：

所述树脂层采用不透明树脂材料。