[发明专利]一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201210364234.5 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN102854681A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 林允植;严允晟;崔贤植 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于:所述阵列基板的数据线所在的层与透明电极层之间设置有树脂层,所述树脂层具有暴露出像素区域的开口。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:
所述阵列基板的栅线所在的层与所述透明电极层之间,以及,所述阵列基板的薄膜晶体管与所述透明电极之间,设置有所述树脂层。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
位于所述基板上的栅电极和栅线;
位于形成有栅电极和栅线的基板上的栅绝缘层;
位于栅绝缘层上的半导体层、源电极、漏电极和数据线;
位于形成有半导体层、源电极、漏电极和数据线的基板上的树脂层和像素电极,所述树脂层具有暴露出像素区域的开口,所述像素电极与所述漏电极直接连接;
位于形成有树脂层和像素电极的基板上的钝化层;
位于钝化层上的公共电极,所述公共电极包括位于所述数据线上方的第一公共电极和位于所述像素电极上方的第二公共电极。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
形成在所述源电极、漏电极与半导体层之间的欧姆接触层。
5.如权利要求1至4中任一项所述的阵列基板,其特征在于:
所述树脂层的材料为不透明树脂材料。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至5中任一项所述的阵列基板。
7.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在所述阵列基板的数据线所在的层与钝化层之间形成树脂层,并在所述树脂层中形成暴露出像素区域的开口。
8.如权利要求7所述的制造方法,其特征在于,还包括:
在所述阵列基板的栅线所在的层与所述透明电极层之间,以及,在所述阵列基板的薄膜晶体管与所述透明电极之间,形成所述树脂层。
9.如权利要求7所述的制造方法,其特征在于,具体包括:
在基板上形成栅电极和栅线;
在形成有栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层;
在栅绝缘层上形成半导体层、源电极、漏电极和数据线;
在形成有半导体层、源电极、漏电极和数据线的基板上形成树脂层和像素电极,并在所述树脂层中形成暴露出像素区域的开口,所述像素电极与所述漏电极直接连接;
在形成有树脂层和像素电极的基板上形成钝化层;
在钝化层上形成公共电极,所述公共电极包括位于所述数据线上方的第一公共电极和位于所述像素电极上方的第二公共电极。
10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,还包括:
在所述源电极、漏电极与半导体层之间形成欧姆接触层。
11.如权利要求7至10中任一项所述的制造方法,其特征在于:
所述树脂层采用不透明树脂材料。
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