[发明专利]一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法无效
| 申请号： | 201210362921.3 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102832199A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;房润辰;郑珊;张卫;王鹏飞;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 互连 混合 介质 扩散 阻挡 及其 制造 方法 | ||
1. 一种用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，包括：在半导体基底上形成的低介电常数介质层；在所述低介电常数介质层中形成的互连通孔；其特征在于，
在所述互连通孔的侧壁以及所述低介电常数介质层之上形成的氧化层；
覆盖所述氧化层与所述互连通孔的底壁形成的金属层；
所述氧化层与所述金属层形成氧化层和金属混合介质抗铜扩散阻挡层。
2. 如权利要求1所述的用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于，所述的氧化层为硅碳氮、氮化硅或者为金属的氧化物及氮氧化物。
3. 如权利要求1所述的用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于，所述的金属层可以为单质金属或金属氮化物。
4. 如权利要求2所述的用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于，所述金属的氧化物及氮氧化物为氧化铝、氮氧化铝、氧化钽或者氧化铪。
5. 如权利要求3所述的用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于，所述的金属层为钴、钌、钽、钨、钼、钛、铜、氮化钽、氮化钛或者为氮化钼。
6. 一种如权利要求1所述的用于铜互连的抗铜扩散阻挡层的制造方法，包括：
在提供的半导体基底表面淀积一层低介电常数介质层；刻蚀所述低介电常数介质层形成互连通孔；覆盖所形成的互连通孔的底壁、侧壁以及所述低介电常数介质层的表面生长一层薄的氧化层；
对所形成的氧化层进行回刻以去除在所述互连通孔底部的所述氧化层；
覆盖剩余的氧化层以及互连通孔的底壁淀积一金属层，所形成的金属层与氧化层构成氧化层和金属混合介质抗铜扩散阻挡层。
7. 如权利要求6所述的用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于，所述的氧化层为硅碳氮、氮化硅或者为金属的氧化物及氮氧化物。
8. 如权利要求6所述的用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于，所述的金属层可以为单质金属或金属氮化物。
9. 如权利要求7所述的用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于，所述金属的氧化物及氮氧化物为氧化铝、氮氧化铝、氧化钽或者氧化铪。
10. 如权利要求8所述的用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于，所述的金属层为钴、钌、钽、钨、钼、钛、铜、氮化钽、氮化钛或者为氮化钼。
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