[发明专利]OLED显示器件及其封装方法在审
| 申请号： | 201210361972.4 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103681482A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 马小军;赵本刚 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201201 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 显示 器件 及其 封装 方法 | ||
1.一种OLED显示器件的封装方法，包括：
在阵列基板上形成像素阵列；
提供透明基板，并在所述透明基板上涂覆玻璃粉；
通过所述玻璃粉贴合所述阵列基板和透明基板；
其特征在于，
在提供所述透明基板的步骤中还包括在透明基板上形成支柱。
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在透明基板上形成支柱的步骤包括：
在所述透明基板上涂覆光刻胶；
通过曝光、显影，图案化所述光刻胶；
刻蚀所述透明基板；
剥离所述光刻胶，形成所述支柱。
3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀，刻蚀的溶液是氢氟酸。
4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述支柱是横截面为圆形或者多边形的棱柱。
5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述支柱的高度大于等于1.5um且小于等于2.5um。
6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述透明基板对应于所述阵列基板上每相邻两行像素的间隔区域中，每相邻两列像素的间隔区域，形成所述支柱。
7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述透明基板对应于所述阵列基板上每相邻两行像素的间隔区域中，每间隔两列或者三列或者四列或者五列像素的间隔区域，形成所述支柱。
8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述透明基板对应于所述阵列基板上每相邻两列像素的间隔区域中，每间隔两行或者三行或者四行或者五行像素的间隔区域，形成所述支柱。
9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，通过丝网印刷技术在所述透明基板上涂覆玻璃粉。
10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在涂覆玻璃粉的步骤之后还包括烘烤所述玻璃粉，使所述玻璃粉固化。
11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述烘烤的温度为高于等于350℃且低于等于450℃。
12.一种OLED显示器件，包括：
阵列基板；
与所述阵列基板相对设置的透明基板；
所述阵列基板和透明基板之间设置有多个用于抗压并保持盒厚的支柱，其特征在于，所述支柱形成于所述透明基板上，与所述透明基板的材料相同。
13.如权利要求12所述的OLED显示器件，其特征在于，所述支柱的材料是玻璃、塑料、有机材料中的一种或者多种。
14.如权利要求12所述的OLED显示器件，其特征在于，所述支柱是圆柱形支柱，其横截面是圆形。
15.如权利要求14所述的OLED显示器件，其特征在于，所述圆形的半径大于等于2um且小于等于7um。
16.如权利要求12所述的OLED显示器件，其特征在于，所述支柱是棱柱，其横截面是多边形。
17.如权利要求16所述的OLED显示器件，其特征在于，所述多边形是矩形。
18.如权利要求16所述的OLED显示器件，其特征在于，所述多边形是正方形。
19.如权利要求18所述的OLED显示器件，其特征在于，所述正方形的边长大于等于4um且小于等于14um。
20.如权利要求12所述的OLED显示器件，其特征在于，所述支柱的横截面是椭圆形或者不规则图形。
21.如权利要求12所述的OLED显示器件，其特征在于，所述支柱的高度大于等于1.5um且小于等于2.5um。
22.如权利要求12所述的OLED显示器件，其特征在于，在所述透明基板对应于所述阵列基板上每相邻两行像素的间隔区域中，每相邻两列像素的间隔区域，形成所述支柱。
23.如权利要求12所述的OLED显示器件，其特征在于，在所述透明基板对应于所述阵列基板上每相邻两行像素的间隔区域中，每间隔两列或者三列或者四列或者五列像素的间隔区域，形成所述支柱。
24.如权利要求12所述的OLED显示器件，其特征在于，在所述透明基板对应于所述阵列基板上每相邻两列像素的间隔区域中，每间隔两行或者三行或者四行或者五行像素的间隔区域，形成所述支柱。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
