[发明专利]喷嘴单元和利用所述喷嘴单元处理基板的设备以及方法

权利要求书

1.一种基板处理设备，包括：

处理室；

支撑单元，设置在所述处理室内以支撑基板；以及

喷嘴单元，设置在所述处理室以喷射气体，

其中，所述喷嘴单元包括：

第一喷嘴，喷射处理气体；以及

第二喷嘴，喷射阻挡气体到所述处理室的内壁上或临近所述支撑单元的区域上以防止所述处理气体沉积在所述处理室的所述内壁上或所述支撑单元上。

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第一喷嘴在水平方向喷射所述处理气体，并且

所述第二喷嘴设置在所述第一喷嘴的上部分和下部分的至少一者中，以在平行于所述处理气体方向的方向喷射所述阻挡气体。

3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述喷嘴单元包括：

第一内管，在所述第一内管中引入所述阻挡气体；

第二内管，在所述第二内管中引入所述处理气体，所述第二内管环绕所述第一内管；以及

外管，用于冷却在所述第二内管中的所述处理气体的冷却流体流经所述外管，所述外管环绕所述第二内管，

其中，所述第一喷嘴从所述第二内管向所述外管延伸，并且

所述第二喷嘴从所述第一内管向所述外管延伸。

4.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述喷嘴单元包括：

内管，在所述内管中引入所述处理气体；以及

外管，用于冷却在所述内管中的所述处理气体的冷却流体在所述外管中流动，所述外管环绕所述内管，

其中，所述第一喷嘴从所述内管向所述外管延伸，并且

所述第二喷嘴被设置在所述外管的上端外且在所述外管的下端中。

5.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述喷嘴单元包含：

内管，在所述内管中引入所述处理气体；以及

外管，用于冷却在所述内管中的所述处理气体的冷却流体在所述外管中流动，所述外管环绕所述内管，

其中所述第一喷嘴从所述内管向所述外管延伸，并且

所述第二喷嘴包含圆管和喷射孔，所述圆管沿所述外管的内侧表面的圆周方向设置且所述阻挡气体被引入所述圆管中，所述喷射孔被限定在所述外管中且连接到所述圆管。

6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理设备，其中，所述支撑单元包括：

支撑板，沿所述支撑板的顶面的边缘区域的圆周方向在所述支撑板中限定用于接收基板支架的多个支架槽，所述支撑板具有板形状；以及

旋转所述支撑板的旋转驱动构件。

7.如权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述喷嘴单元设置在所述支撑板的中心区域之上，并且

提供多个所述第一和第二喷嘴以形成径向气流，在所述径向气流中，所述气体从所述支撑板的所述中心区域流向所述边缘区域。

8.如权利要求6所述的基板处理设备，其中，在所述支撑板的顶面的中心区域限定第二槽，并且

所述喷嘴单元的下端被插入到所述第二槽中，使得所述喷嘴单元的所述下端与所述第二槽的底面隔开。

9.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，垂直提供多个所述第一喷嘴。

10.一种喷嘴单元，包括喷嘴本体，沿所述喷嘴本体的圆周方向在所述喷嘴本体中设置有喷嘴，所述喷嘴本体具有圆柱形状，

其中，所述喷嘴包括：

第一喷嘴，在水平方向喷射处理气体；以及

第二喷嘴，设置在所述第一喷嘴的上端或下端以在平行于所述处理气体方向的水平方向喷射阻挡气体。

11.如权利要求10所述的喷嘴单元，其中，所述第二喷嘴被化分为设置在所述第一喷嘴的上端的第一组和设置在所述第一喷嘴的下端的第二组，并且

以与所述喷嘴本体相同的高度沿所述喷嘴本体的圆周方向提供属于同一组的所述第二喷嘴。

12.如权利要求11所述的喷嘴单元，其中，属于所述第一组的所述第二喷嘴喷射所述阻挡气体到临近处理室的上壁的区域上，所述处理室内安装有所述喷嘴单元，以及

属于所述第二组的所述第二喷嘴喷射所述阻挡气体到临近放置基板的支撑板的区域上。