[发明专利]印刷式半导体器件及制作方法有效

专利信息
申请号: 201210357280.2 申请日: 2012-09-21
公开(公告)号: CN103682099A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 刘静 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;B41J3/00;C09D11/52;C09D11/03
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 印刷 半导体器件 制作方法
【权利要求书】:

1.一种印刷式半导体器件,其特征在于,包括:基底、导电金属墨水、半导体墨水和绝缘型墨水,所述导电金属墨水含有0.1wt%~10wt%质量百分比低熔点液态金属的氧化物和0wt%~90wt%导电性纳米颗粒或半导体纳米颗粒,所述半导体墨水含有0.1wt%~90wt%质量百分比P型或N型半导体纳米颗粒和有机物,或所述半导体墨水含有0.1wt%~90wt%质量百分比P型或N型半导体纳米颗粒和聚合物,所述绝缘型墨水含有聚合物。

2.如权利要求1所述的印刷式半导体器件,其特征在于,所述导电金属墨水中含有的低熔点液态金属为:镓、镓铟合金、镓锡合金、铟锡合金、镓铟锡合金、镓铟锡锌合金、镓铟锡锌铋合金或钠钾合金中的至少一种。

3.如权利要求1所述的印刷式半导体器件,其特征在于,所述半导体墨水中含有的有机物为:红荧烯或并五苯。

4.如权利要求1所述的印刷式半导体器件,其特征在于,所述半导体墨水中含有聚合物为:聚3-己基噻吩、聚3,3’-二烷基连四噻吩、聚3芳基胺。

5.如权利要求1所述的印刷式半导体器件,其特征在于,所述绝缘型墨水中含有的聚合物为:聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲脂或聚乙烯苯酚。

6.如权利要求1所述的印刷式半导体器件,其特征在于,所述导电性纳米颗粒为粒径1nm~900nm的铂、金、银、铜、铁、铝、锑、铋、镉、锗、镍、铑、钽、铅、钨、铼、康铜、钨铼合金、镍镉合金、碳纳米管或石墨烯。

7.如权利要求1所述的印刷式半导体器件,其特征在于,所述半导体纳米颗粒为粒径1nm~900nm的硫化锗颗粒、硒化锗颗粒、碲化锗颗粒、铋化铟颗粒、砷化铟颗粒、锑化铟颗粒、氧化铟颗粒、磷化铟颗粒、砷化镓颗粒、磷化镓颗粒、硫化铟颗粒、硒化铟颗粒、氧化铟锡颗粒、碲化铟颗粒、氧化铅颗粒、硫化铅颗粒、硒化铅颗粒、碲化铅颗粒、硅化镁颗粒、氧化锡颗粒、氯化锡颗粒、硫化锡颗粒、硒化锡颗粒、碲化锡颗粒、硫化银颗粒、硒化银颗粒、碲化银颗粒、氧化碲颗粒、氧化锌颗粒、砷化锌颗粒、锑化锌颗粒、磷化锌颗粒、硫化锌颗粒、硫化镉颗粒、氧化硼颗粒、硒化锌颗粒或碲化锌颗粒。

8.如权利要求1所述的印刷式半导体器件,其特征在于,所述基底为塑料、橡胶、硅、玻璃、丝织物、聚二甲基硅氧烷、陶瓷或纸中的至少一种。

9.一种印刷式半导体器件制作方法,其特征在于,包括:

S1:在基底上采用N型半导体墨水印刷出N型半导体;

S2:在S1中的N型半导体两侧分别印刷出两个P型半导体,由此形成两个PN结;

S3:采用P型导电金属墨水印刷出连接两个P型半导体的栅极;

S4:在N型半导体的上端采用导电金属墨水印刷出漏极,在N型半导体的下端采用导电金属墨水印刷出源极;

S5:采用管壳或绝缘涂覆材料进行封装,即形成所述半导体器件。

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