[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管（OLED）显示装置及其制造方法，并且更具体地，涉及其中通过光刻工艺对OLED像素进行图案化的OLED显示装置及其制造方法。

背景技术

近来，随着对于信息显示器的兴趣的增加并且对于便携式信息媒体的使用的要求也日益增加，已经积极地对替代作为现有显示装置的阴极射线管（CRT）的重量轻的平板显示器（FPD）进行了研究和商业化。

在FPD领域中，更轻并且功耗更小的液晶显示（LCD）装置已经成为关注的焦点；然而，由于LCD装置是光接收装置，而不是发光装置，因此，具有亮度、对比度以及视角等等方面的缺点，因此已经积极地对可以克服这样的缺点的新型显示装置进行了开发。

作为新型显示装置之一的LED显示装置是自发光型装置，其因此在视角和对比度方面表现更优异，并且由于不需要背光而更轻、更薄，并且与LCD装置相比，在功耗方面具有优点。另外，OLED显示装置能够由DC在较低的电压来驱动，具有更快的响应速度，并且在制造成本方面特别具有优势。

与LCD装置或等离子显示面板（PDP）不同的是，沉积和包封是OLED显示装置的制造工艺的全部，因此制造工艺非常简单。而且，当根据其中每个像素具有薄膜晶体管（TFT）作为开关元件的主动矩阵方案驱动OLED显示装置时，虽然施加了较低的电流但是能够获得相同的亮度，因此，有利的是，OLED显示装置的能耗更低，具有高间距（或高清晰度或高分辨率），并且尺寸能够更大。

下面将参考附图详细描述OLED显示装置的基本结构和操作特性。

图1是示出一般的OLED显示装置的发光原理的图。

如图1中所示，一般的OLED显示装置包括OLED。该OLED包括形成在作为像素电极的阳极18与作为公共电极的阴极28之间的有机化合物层30a、30b、30c、30d和30e。

这里，有机化合物层30a、30b、30c、30d和30e包括空穴注入层30a、空穴传输层30b、发光层30c、电子传输层30d和电子注入层30e。

当驱动电压被施加到阳极18和阴极28时，已经通过空穴传输层30b的空穴和已经通过电子传输层30e的电子移动到发光层30c以形成激子，并且结果，发光层30c发射可见光。

在OLED显示装置中，均具有带有上述结构的OLED的像素被布置为矩阵形式并且由数据电压和扫描电压选择地控制以显示图像。

OLED显示装置被分为使用TFT作为开关元件的主动矩阵型显示装置和被动矩阵型OLED显示装置。其中，在主动矩阵型OLED显示装置中，作为有源元件的TFT被选择性地导通以选择像素并且通过在存储电容器中保持的电压保持像素的发光。

图2是一般的OLED显示装置中的像素的等效电路图。即，图2示出了主动矩阵型OLED显示装置中具有通常的2T1C（包括两个晶体管和一个电容器）的像素的等效电路图的示例。

参考图2，主动矩阵型OLED显示装置的像素包括OLED、彼此交叉的数据线DL和选通线GL、开关TFT SW、驱动TFT DR和存储电容器Cst。

这里，响应于来自选通线GL的扫描脉冲导通开关TFT SW以导通其源电极和漏电极之间的电流路径。在开关TFT SW的导通时间段期间，来自数据线DL的数据电压被借助于开关TFT SW的源电极和漏电极施加到驱动TFT DR的栅电极和存储电容器Cst。

这里，驱动TFT DR根据施加到其栅电极的数据电压控制在OLED中流动的电流。存储电容器Cst存储数据电压和低电势电源电压VSS之间的电压并且在一个帧时段期间均匀地保持该电压。

为了形成构成OLED显示装置的若干有机化合物层，大量地使用真空蒸镀方法。

这里，为了使用真空蒸镀方法，使用具有对应于多个像素区域的多个开口的掩模（或遮板）或者精细金属掩模（FMM）。然而，该方法的限制在于不容易处理图案的精细间距以增加基板的尺寸和实施高分辨率显示。

即，通过在薄金属板上形成作为用于沉积的图案的孔并且对其进行拉伸来制造FMM。因此，限制在于形成具有小尺寸的图案，使得难以减小OLED的大小。而且，当增加精细金属掩模的尺寸以增加面板的尺寸时，由于精细金属掩模的特性导致发生翘曲，使得图案变形从而降低了产率。

发明内容

本发明的一方面提供了一种有机发光二极管（OLED）显示装置，其中通过光刻工艺对OLED像素进行图案化，从而可用于大面积图案化并且获得高间距（或高清晰度或高分辨率）以及用于制造这样的有机发光二极管（OLED）显示装置的方法。