[发明专利]一种用于减小接触插塞和栅极结构之间的寄生电容的方法在审
| 申请号： | 201210353285.8 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681263A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 减小 接触 栅极 结构 之间 寄生 电容 方法 | ||
1.一种用于减小接触插塞和栅极结构之间的寄生电容的方法，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有层间介电层和位于所述层间介电层中的栅极结构；以及
用含有C元素的源气体对所述栅极结构和将形成的所述接触插塞之间的所述层间介电层执行离子掺杂工艺。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述离子掺杂工艺之后还包括：
执行热退火工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子掺杂工艺为离子注入工艺。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述离子注入工艺的工艺条件包括：能量为200eV~10keV，剂量为1E14~5E16离子/cm2。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子掺杂工艺为等离子体掺杂工艺。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述等离子体掺杂工艺的工艺条件包括：功率为200W~2000W，剂量为1E14~5E16离子/cm2。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子掺杂工艺所采用的源气体包含CO2、CO、CH4和C2H6中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子掺杂工艺所采用的源气体还含有H元素。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述离子掺杂工艺所采用的源气体包含H2。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子掺杂工艺为原位掺杂。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述栅极结构两侧形成有侧墙结构。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述侧墙结构包含氮化硅。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述栅极结构和所述层间介电层之间形成有接触孔蚀刻停止层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述接触孔蚀刻停止层包含氮化硅。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极结构包括栅极介电层和位于所述栅极介电层上的虚设多晶硅栅极。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，在执行所述离子掺杂工艺之后还包括：
去除所述虚设多晶硅栅极以形成凹槽；
在所述凹槽内填充金属层；以及
对所述金属层进行平坦化，从而形成金属栅极。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述层间介电层执行所述离子掺杂工艺之前还包括：
在所述栅极结构的表面上形成掩蔽层。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述掩蔽层在执行所述离子掺杂工艺之后被去除。
19.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述离子掺杂工艺之后还包括：
在所述层间介电层中形成接触孔，并填入金属，以形成接触插塞。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
