[发明专利]一种方形扁平无引脚封装焊片的方法有效
申请号: | 201210340580.X | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN102856216A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 韩福彬 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;B23K1/00;B23K35/14 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 雷利平 |
地址: | 523750 广东省东莞市黄江镇裕元工*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 方形 扁平 引脚 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,特别是涉及一种方形扁平无引脚封装焊片的方法。
背景技术
半导体器件在封装之前,是将晶片焊接于导线框架的焊片区,导线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用导线框架。
现有技术中,将晶片焊接于导线框架的焊盘区,大多采用银胶或者锡膏,采用银胶或者锡膏焊接晶片的步骤一般包括1、导线框架贴膜:在导线框架背面贴一张胶膜,来克服塑封成型时散热板区域被溢出的胶体影响散热的问题;2、银胶(或锡膏)焊片:在室温25°C左右进行点胶,然后进行固晶作业;3、银胶(或锡膏)烘烤:在175°C的高温烤箱内固化3小时;4、晶片焊线:在220°C的轨道温度下进行超声波焊接,使晶片与导线框架连接线路导通;5、塑封成型:塑封料在175°C的温度下熔化,透过模具闭合挤压,使塑封料灌入型腔,把晶片与导线框架的功能区域灌封,从而保护产品不受破坏和氧化。
现有技术的焊接晶片的步骤比较繁琐、由于制程时间长而导致生产效率低,该制程使用银胶或者锡膏的成本也较高、性能一般。
发明内容
本发明的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种方形扁平无引脚封装焊片的方法,该方形扁平无引脚封装焊片的方法由于缩短晶片焊接的周期从而提高生产效率,还可降低制作成本,提高产品性能。
本发明的目的通过以下技术方案实现。
提供一种方形扁平无引脚封装焊片的方法,包括以下依次进行的步骤:
1)锡线焊片;2)晶片焊线;3)导线框架贴膜;4)塑封成型。
优选的,步骤1)的锡线焊片,具体步骤如下:
导线框架的焊片区放入锡线后,被自动送入轨道的高温区预热至锡线被熔化为液态锡时,然后利用压膜头根据晶片的尺寸将液态锡压膜成型,接着导线框架被输送至轨道的固晶区进行吸晶片固晶,固晶完成后导线框架被输送至轨道的冷却区进行冷却,最后经过轨道的室温区被送至料盒出料。
更优选的,步骤1)中锡线的用量根据晶片尺寸来决定,在线径为0.5mm的锡线条件下,晶片尺寸为1x1mm时锡线用量为1mm,晶片尺寸为2x2mm时锡线用量为2.3mm,晶片尺寸为3x3mm时锡线用量为3.1mm,晶片尺寸为4x4mm时锡线用量为5mm,晶片尺寸为5x5mm时用量为6mm。
另一优选的,轨道的高温区的温度变化为:轨道长度每隔100±10mm,轨道温度变化依次为300±10°C,360±10°C,360±10°C,370±10°C,375±10°C。
更优选的,锡线在375±10°C的温度时在导线框架上熔化成液态。
另一优选的,压膜头的温度为420±30°C。
另一优选的,轨道的固晶区的温度为375±10°C。
另一优选的,轨道的冷却区的温度为先360±10°C,后290±10°C,两个温度设在轨道长度相隔为100±10mm处。
另一优选的,轨道的室温区为供应氮气惰性气体的密闭装置。
另一优选的,步骤3)的导线框架贴膜,具体为:在导线框架背面贴一张胶膜。
本发明的有益效果如下:
本发明通过使用锡线来焊接晶片,与现有技术相比,减少了制作步骤,从而缩短了产品制作周期;锡线的成本比银胶或锡膏的成本低,并且锡线在散热和导电性能上比银胶或锡膏更优越,因此,本发明由于缩短晶片焊接的周期从而提高生产效率,还可降低制作成本,提高产品性能。
具体实施方式
结合以下实施例对本发明作进一步说明。
本实施例的一种方形扁平无引脚封装焊片的方法,包括以下依次进行的步骤:
1)锡线焊片;2)晶片焊线;3)导线框架贴膜;4)塑封成型。
本发明通过使用锡线来焊接晶片,与现有技术相比,减少了制作步骤,从而缩短了产品制作周期;锡线的成本比银胶或锡膏的成本低,并且锡线在散热和导电性能上比银胶或锡膏更优越,因此,本发明由于缩短晶片焊接的周期从而提高生产效率,还可降低制作成本,提高产品性能。
具体的,步骤1)的锡线焊片,具体步骤如下:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造