[发明专利]无定形Ge/Te的沉积方法

权利要求书

1.一种通过气相沉积工艺在衬底上形成平滑、无定形含锗膜的方法，包括蒸发锗前体以形成锗前体蒸气，可选使所述锗前体蒸气与选自由氨、氢、氦、氩、和氮构成的组中的组份化合，并且使所述前体蒸气与用于在其上气相沉积所述含锗膜的衬底接触，其中所述锗前体包括锗的脒基化合物或复合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含锗膜进一步包括碲，所述方法包括蒸发碲前体以形成碲前体蒸气，并且使所述碲前体蒸气与用于在其上气相沉积所述膜的衬底接触。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述碲前体选自由下式的碲合成物构成的组中：

R₁TeR₂

其中：

R₁和R₂可以彼此相同或不同，并且每个独立选自H、C₁-C₆烷基、C₅-C₁₀环烷基、C₆-C₁₀芳基、和-Si(R³)₃，其中每个R³独立选自C₁-C₆烷基；

R₁Te(NR₂R₃)

其中：

R₁、R₂和R₃可以彼此相同或不同，并且每个独立选自H、C₁-C₆烷基、C₅-C₁₀环烷基、C₆-C₁₀芳基、和-Si(R³)₃，其中每个R₃独立选自C₁-C₆烷基；

R₁Te-TeR₂

其中：

R₁和R₂可以彼此相同或不同，并且每个独立选自H、C₁-C₆烷基、C₅-C₁₀环烷基、C₆-C₁₀芳基、和-Si(R³)₃，其中每个R³独立选自C₁-C₆烷基；

碲络合物带有β-二酮亚胺化合物配体，

其中R₁、R₂和R₃它们可以彼此相同或不同，并且每个独立选自C₁-C₆烷基、C₆-C₁₀芳基、甲硅烷基和C₁-C₁₂烷基胺(其包括单烷基胺以及二烷基胺两者)；以及

其中R₁、R₂和R₃它们可以彼此相同或不同，并且每个独立选自C₁-C₆烷基、C₆-C₁₀芳基、甲硅烷基和C₁-C₁₂烷基胺(其包括单烷基胺以及二烷基胺两者)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中含锗和碲的膜进一步包括锑，所述方法包括蒸发锑前体以形成锑前体蒸气，并且使所述锑前体蒸气与用于在其上气相沉积所述膜的衬底接触。