[发明专利]选择性晶体硅刻蚀液、晶圆硅片的刻蚀方法及其应用

权利要求书

1.一种选择性晶体硅刻蚀液，包括：

体积百分比大于0vol％且小于等于80vol％的硝酸；

体积百分比大于0vol％且小于等于20vol％氢氟酸；以及

体积百分比大于0vol％且小于等于50vol％乙酸。

2.如权利要求1所述的选择性晶体硅刻蚀液，其特征在于，所述选择性晶体硅刻蚀液还包括：体积百分比大于0vol％且小于等于20vol％的表面活性剂。

3.如权利要求2所述的选择性晶体硅刻蚀液，其特征在于，所述表面活性剂的摩尔浓度为20％～80％。

4.如权利要求2所述的选择性晶体硅刻蚀液，其特征在于，所述表面活性剂为：

通式为R₁-COOM的羧酸或其金属盐，其中，R₁为一个烷基，M为一个氢离子或一个金属阳离子；

通式为NH₂-R₂-OH的醇胺，其中，R₂为一个亚烷基；

通式为R₃-[R₄-O]_n-R₅的醚，其中，R₃和R₅相同或不同并各自为一个氢离子或一个烷基，R₄为一个亚烷基，n为大于等于1的自然数；或

两种或多种上述表面活性剂的混合物。

5.如权利要求1-4中任何一项所述的选择性晶体硅刻蚀液，其特征在于，所述乙酸的摩尔浓度为20％～90％。

6.如权利要求1-4中任何一项所述的选择性晶体硅刻蚀液，其特征在于，所述硝酸的摩尔浓度为10％～60％。

7.如权利要求1-4中任何一项所述的选择性晶体硅刻蚀液，其特征在于，所述氢氟酸的摩尔浓度为20％～60％。

8.一种晶圆硅片的刻蚀方法，包括：

提供如权利要求1-7中任何一项所述的选择性晶体硅刻蚀液；

将若干晶圆硅片置于所述选择性晶体硅刻蚀液中；

在密闭环境下，将包含若干晶圆硅片的选择性晶体硅刻蚀液加温至25℃～50℃，并在此温度下保持10sec～1800sec，使所述若干晶圆硅片的表面得到刻蚀。

9.一种如权利要求8中的晶圆硅片的刻蚀方法的应用，其特征在于，所述晶圆硅片的刻蚀方法用于晶圆背面的硅刻蚀，所述晶圆硅片的最底层为图形层，所述图形层上为P型重掺杂硅层，所述P型重掺杂硅层上为P型轻掺杂硅层。

10.如权利要求9中的晶圆硅片的刻蚀方法的应用，其特征在于，所述P型重掺杂硅层对P型轻掺杂硅层的刻蚀选择比大于10。