[发明专利]LED 、LED装置及LED制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及LED封装领域，尤其涉及一种LED及LED装置。 

背景技术

LED（Light Emitting Diode发光二极管）是一种能将电能转化为光的固态的半导体器材，目前，现有的所述LED包括用来导电和支撑的支架、外壳、固定在支架上的芯片和用来保护所述芯片的封胶。所述LED的制造方式是先在支架上形成外壳，然后再用封胶封装，外壳一般采用环氧树脂、酸酐类、高光扩散性填料及热安定性塑料组成；封胶一般采用硅胶或环氧树脂填充，两者材料特性相差较远,回缩率不同，导致在与电路板回焊加工组装时容易造成所述外壳与所述封胶剥离，并因此对芯片和金属线产生较大应力，导致产品产生失效异常；同时，由于结构设计上的缺陷以及封胶所具有的回缩的特性，在加工完成后及后续的使用过程中，保护所述芯片的封胶并未完全包覆芯片，从而使得芯片会在恶劣的环境下（如雨水）导致损坏，影响产品品质。 

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术之缺陷，提供一种LED及LED装置，其可有效降低应力对芯片和金属线的破坏，在产品与电路板回焊加工组装时不易产生剥离，同时可保证产品在恶劣环境下性能稳定，防潮等级高。 

本发明提供一种LED，包括芯片、相对设置的左支架和右支架、保护所述芯片且可透光的内层封装胶体和设于所述内层封装胶体外围的外层封装胶体，所述芯片置于所述左支架和右支架上端面，所述芯片的正、负极引脚与所述左支架和右支架的阴、阳电极之间通过金属线焊接，所述左支架和右支架分设三个区域，所述内层封装胶体包覆所述芯片、所述金属线及所述左支架和右 支架第一区域上端面，且从两左支架和右支架之间延伸至该第一区域的下端面并包覆该第一区域下端面，所述外层封装胶体包覆所述内层封装胶体及伸出所述内层封装胶体之外的左支架和右支架第二区域，所述左支架和右支架之第三区域延伸于所述外层封装胶体之外。 

本发明还提供了一种LED装置，包括上述LED结构。 

本发明所提供的一种LED及其LED装置，其通过设于所述内层封装胶体外围的外层封装胶体，所述内层封装胶体包覆所述芯片与所述金属线，与现有技术相比，在产品与电路板回焊加工组装时不会产生内层封装胶体和外层封装胶体之间的相互剥离，可有效降低应力对芯片和金属线的破坏，提高了产品的性能；同时将内层封装胶体的底面低于支架搁置所述芯片所在的平面，可保证内层封装胶体对芯片底面的保护，在外界恶劣的环境下（如雨水）也不会造成对芯片腐蚀、损坏，保证产品性能稳定、寿命长、防潮等级高。 

本发明还提供了一种LED制作工艺，包括下述步骤： 

1）冲压：采用冲压模具将左支架和右支架冲压成型； 

2）电镀：将所述左支架和右支架上表面用于芯片与金属线接触的功能区局部镀银、镀金或其他金属； 

3）切片：将电镀后的所述左支架和右支架用模具裁标准长； 

4）包装：将裁切好的所述左支架和右支架用防潮纸包装； 

5）固晶：在所述左支架和右支架的底部点银胶或绝缘胶后，采用固晶机将所述芯片固定在所述左支架和右支架之点银胶或绝缘胶区域内； 

6）烘烤：将固定好所述芯片的所述左支架和右支架放入烤箱烘烤固化，时间为1-30分钟，温度130~180°； 

7）焊线：将烘烤完成的所述芯片及所述左支架和右支架放入焊线机，用金属线将所述芯片的正、负极引脚与所述左支架和右支架的正、负电极连接； 

8）配制封胶材料：所述内层封装胶体采用以环氧树脂或硅胶为原料的透明胶或视需求调配的有色透光胶；所述外层封装胶体采用环氧树脂或硅胶为原 料配制的不透明胶； 

9）模压：将上述左支架和右支架置于预制的模压模具A中，注入所述内层封装胶体后模压， 

10)长烤：将上述模压后的产品放入烤箱中，温度为140℃-180℃，时间为1-3小时，让封胶材料充分固化，同时进行热老化； 

11）模压：再将已模压有内层封装胶体的左支架和右支架置于入模压模具B中，压注所述外层封装胶体；， 

12）长烤：将上述模压后的产品放入烤箱中，温度为140℃-180℃，时间为1-8小时，让封胶材料充分固化，同时进行热老化； 

13）切脚：采用切脚机切断左支架和右支架的连筋。 

采用上述工艺，可将芯片、金属线、支架、内层封装胶体、外层封装胶体较好的融合于一体，有利于提高LED品质。 

附图说明

图1A为本发明实施例所提供的LED结构一主视结构图；