[发明专利]发光二极管阵列在审
申请号: | 201210328231.6 | 申请日: | 2012-09-06 |
公开(公告)号: | CN103681724A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 杨宗宪;巫汉敏;王志贤;陈怡名;徐子杰 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 阵列 | ||
本发明提供一发光二极管阵列,包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道;该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层;该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间,且包括一电极绝缘层;该电极连接层包覆该第一区域;该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫;该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上;该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间,且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。
技术领域
本发明关于一种发光二极管阵列。
背景技术
发光二极管是半导体元件中一种被广泛使用的光源。相较于传统的白炽灯泡或荧光灯管,发光二极管具有省电及使用寿命较长的特性,因此逐渐取代传统光源而应用于各种领域,如交通标志、背光模块、路灯照明、医疗设备等产业。
随着发光二极管光源的应用与发展对于亮度的需求越来越高,如何增加其发光效率以提高其亮度,便成为产业界所共同努力的重要方向。
图14描述了现有技术中用于半导体发光元件的LED封装体300:包括由封装结构1封装的半导体LED芯片2,其中半导体LED芯片2具有一p-n接面3,封装结构1通常是热固性材料,例如环氧树脂(epoxy)或者热塑料材料。半导体LED芯片2透过一焊线(wire)4与两导电支架5、6连接。因为环氧树脂(epoxy)在高温中容易劣化(degrading),容易造成漏电现象,因此只能在低温环境运作。此外,环氧树脂(epoxy)具很高的热阻(thermal resistance),使得图14的结构只提供了半导体LED芯片2高阻值的热散逸途径,而限制了LED封装体1的低功耗应用。
发明内容
鉴于以上内容,本发明提供一种可以改善漏电现象的发光二极管阵列。
本发明提供一发光二极管阵列,包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道;该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层;该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间,且包括一电极绝缘层;该电极连接层包覆该第一区域;该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫;该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上;该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间,且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。
另外,本发明还提供一种发光二极管阵列,包括一基板、若干个发光二极管、若干个导电配线结构、二电性焊接垫位及一隔绝道;该基板具有一第一表面;该若干个发光二极管位于该第一表面上;该若干个导电配线结构配置在该第一表面上,电性连接该些发光二极管;该二电性焊接垫位于该第一表面上;该隔绝道位于该任一电性焊接垫与任一发光二极管之间,其中该电性焊接垫与该发光二极管的距离不小于25μm。
附图说明
图1-12是本发明第一实施例的发光二极管阵列结构的剖面示意图。
图13是本发明第二实施例的发光二极管阵列的上视图。
图14是现有的发光元件结构图。
具体实施方式
为了使本发明的叙述更加详尽与完备,请参照下列描述并配合图1至图13。依据本发明第一实施例的发光二极管阵列1000的制造步骤如下:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210328231.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于流体调节器的密封阀盘组件
- 下一篇:防振投光灯
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的