[发明专利]发光二极管阵列

权利要求书

1.一发光二极管阵列，其特征在于：该发光二极管阵列包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道；该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层；该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间，且包括一电极绝缘层；该电极连接层包覆该第一区域；该第二发光二极管包括一半导体叠层及一焊接垫；该焊接垫位于该半导体叠层之上；该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，且包括一电性连接结构，其中部分的该电性连接结构位于该第二隔绝道内且电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管，其中该第一区域、该第二区域及该半导体叠层各包含：一第一导电型半导体层、一活性层及一第二导电型半导体层。

2.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：更包括一基板形成在该第一区域、该第二区域及该半导体叠层之下。

3.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：其中该电极连接层覆盖该第一区域的该第二导电型半导体层的一侧壁以及覆盖该第一区域的活性层的一侧壁。

4.如权利要求2所述的发光二极管阵列，其特征在于：更包括一接合层，该接合层位于该基板与该第一区域、该第二区域及该半导体叠层之间。

5.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该第二隔绝道更包括一绝缘结构。

6.如权利要求4所述的发光二极管阵列，其特征在于：更包括一电性连接层，该电性连接层位于该接合层与该第一区域、该第二区域及该半导体叠层之间，且该电极连接层与该第一区域的第一导电型半导体层通过该电性连接层形成欧姆接触。

7.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该电极连接层与该第一发光二极管的该第一导电型半导体层电性连接且延伸至该第一隔绝道中；该焊接垫与该半导体叠层的该第二导电型半导体层电性连接。

8.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该电极连接层及该焊接垫各包括一上表面，且该电极连接层的该上表面及该焊接垫的该上表面位于相同的水平高度。

9.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该第一区域与该第二区域的距离不小于25μm。

10.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该第二区域及该半导体叠层各包括一上表面，且该上表面为一粗化表面。

11.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该第一发光二极管与该第二发光二极管电性连接为串联。

12.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该第一隔绝道分隔该第一区域的第二导电型半导体层与该第二区域的第二导电型半导体层、分隔该第一区域的活性层与该第二区域的活性层，且并未分隔该第一区域的第一导电型半导体层与该第二区域的第一导电型半导体层。

13.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该第二隔绝道分隔该第二区域的该第二导电型半导体层与该第二发光二极管的该第二导电型半导体层、分隔该第二区域的该活性层与该第二发光二极管的该活性层以及分隔该第二区域的该第一导电型半导体层与该第二发光二极管的该第一导电型半导体层。

14.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该电极绝缘层位于该第二区域的该第二导电型半导体层的一侧壁上以及位于该第二区域的该活性层的一侧壁上。

15.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其特征在于：该电极连接层包覆该第一区域的该第二导电型半导体层的一上表面并延伸至该第一隔绝道且覆盖该第一区域的该第二导电型半导体层的一侧壁以及覆盖该第一区域的该活性层的一侧。