[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210320857.2 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103035683A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 多木俊裕;冈本直哉;美浓浦优一;牧山刚三;尾崎史朗 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
化合物半导体层；
具有开口并且覆盖所述化合物半导体层的上侧的保护膜；和
填充所述开口并且具有骑在所述化合物半导体层上的形状的电极，
其中所述保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且
其中所述开口具有形成在所述下绝缘膜中的第一开口和形成在所述上绝缘膜中并且比所述第一开口宽的第二开口，所述第一开口和所述第二开口彼此连通。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中在所述上绝缘膜和所述电极之间形成有由所述上绝缘膜与所述电极之间的反应得到的氧化物膜。
3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中所述氧化物膜由NiO或CuO制成。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述上绝缘膜包含NiO。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中所述上绝缘膜仅设置在所述电极的下部周边上。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中所述上绝缘膜仅设置在所述电极的一侧上。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中在所述上绝缘膜的表面层上，形成有氧含量比其他部分高的薄膜。
8.一种制造化合物半导体器件的方法，包括：
形成保护膜以覆盖化合物半导体层的上侧，所述保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构；
在所述下绝缘膜中形成第一开口，并且在所述上绝缘膜中形成比所述第一开口宽的第二开口，所述第一开口和所述第二开口形成为彼此连通；
形成填充所述开口并且具有骑在所述化合物半导体层上的形状的电极。
9.根据权利要求8所述的制造化合物半导体器件的方法，其中在所述上绝缘膜和所述电极之间形成由所述上绝缘膜与所述电极之间的反应得到的氧化物膜。
10.根据权利要求8或9所述的制造化合物半导体器件的方法，其中利用所述下绝缘膜与所述上绝缘膜之间的蚀刻速率的差异，通过湿法蚀刻继续地使用在形成所述第一开口时使用的掩模来形成所述第二开口。
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