[发明专利]OLED封装结构及其制造方法、发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光显示器制造领域，特别涉及一种OLED封装结构及其制造方法，以及发光器件。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，以下简称：OLED)因具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点，而被称之为第三代梦幻显示技术。目前，在全球厂商持续资金投入与技术研发的推动下，OLED平板显示技术正趋向于量产技术日益成熟与市场需求高速增长阶段。

OLED按照出光方向可以分为三种，即：底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。底发射OLED是指光从基板射出的OLED，双面发射OLED是指光同时从基板和器件顶部射出的OLED，顶发射OLED是指光从器件顶部射出的OLED。其中，顶发射OLED由于不受基板是否透光的影响，可有效提高显示面板的开口率，拓展了基板上TFT电路的设计，丰富了电极材料的选择，有利于器件与TFT电路的集成。由于OLED对水汽和氧气非常敏感，渗入OLED内的水汽和氧气会腐蚀有机功能层及电极材料，严重影响器件寿命，因此为了延长器件寿命以及提高器件稳定性，需要对OLED进行封装处理以形成OLED封装结构，具体地，可在OLED上形成一阻隔层，该阻隔层可包括无机绝缘层和有机绝缘层，从而达到避免水汽和氧气渗入OLED的目的。

顶发射OLED可以提高器件效率、窄化光谱和提高色纯度，但往往具有微腔效应。微腔效应会使OLED的电致发光光谱随观测角度变化，导致OLED出现观测角度依赖性问题。

发明内容

本发明提供一种OLED封装结构及其制造方法、发光器件，用以降低OLED因微腔效应引起的观测角度依赖性。

为实现上述目的，本发明提供了一种OLED封装结构，包括：衬底基板、OLED、阻隔层和光学调制层，所述OLED形成于所述衬底基板上，所述阻隔层和所述光学调制层交替形成于所述OLED之上。

可选地，所述阻隔层和所述光学调制层按照交替周期数交替形成于所述OLED之上，且在每个交替周期内所述光学调制层位于所述阻隔层之上。

可选地，所述交替周期数为大于或等于1且小于或等于10的正整数。

可选地，所述光学调制层包括：网格层和位于所述网格层之上的填充层。

可选地，所述网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成，所述金属包括：银、铝或者银铝混合物，所述介质包括：二氧化硅或者氟化镁。

可选地，所述填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成，所述填充层的材料包括：二氧化钛、三氧化二铝、氧化锌、氧化镁或者氧化锆。

可选地，所述OLED包括：顶发射OLED或者双面发射OLED。

为实现上述目的，本发明提供了一种OLED封装结构的制造方法，包括：

在衬底基板上形成OLED；

在所述OLED上交替形成阻隔层和光学调制层。

可选地，所述在所述OLED上交替形成阻隔层和光学调制层包括：

在所述OLED上按照交替周期数交替形成所述阻隔层和所述光学调制层，且在每个交替周期内所述光学调制层位于所述阻隔层之上。

可选地，所述在所述OLED上按照交替周期数交替形成阻隔层和光学调制层包括：

形成所述阻隔层；

在所述阻隔层上形成所述光学调制层；

重复执行n-1次所述形成所述阻隔层的步骤和所述在所述阻隔层上形成所述光学调制层的步骤，其中，n为所述交替周期数，n为大于1的正整数。

可选地，所述光学调制层包括：网格层和位于所述网格层之上的填充层；所述在所述阻隔层上形成所述光学调制层包括：

在所述阻隔层上形成网格层；

在所述网格层上形成所述填充层。

可选地，所述网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成，所述在所述阻隔层上形成网格层包括：

以设定入射角度，通过电子束蒸发的方式在所述隔离层上形成依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜。

可选地，所述设定入射角度大于85°且小于90°。

可选地，所述填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成，所述在所述网格层上形成所述填充层包括：

以在设定角度范围内角度阶梯增大的入射角度，通过电子束蒸发的方式在所述网格层上形成斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜。

可选地，所述设定角度范围为位于30°至90°之间的角度范围。